IBS法によるSi基板上Geの成長過程とSi/Ge超格子構造
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概要
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イオンビームスパッタ(IBS)法を用いて, Si/Ge超格子構造の作製とその評価を行っている.一般にSi上Geの成長様式について, Geは6原子層(臨界膜厚)まではコヒーレントに歪み成長し, それ以上になると格子緩和を起こし, 表面形態の悪化を招くことが知られている.そこで今回はIBS法におけるGeの臨界膜厚を知る為に, Geの表面モホロジーについて検討を行った.その結果, 基板温度500, 600℃の場合, 臨界膜厚はそれぞれ0.8nm, 0.5nmであることが分かった.これを基にGe層を臨界膜厚以上としてSi/Ge超格子構造を作製したところ, 表面平坦性を保つことができた.しかしXRD測定の結果, 弱いサテライトピークしか観察されず, Geのミキシングが生じていると考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-19
著者
-
佐々木 公洋
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
畑 朋延
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
高橋 幸大
金沢大学工学部
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畑 朋延
独立行政法人科学技術振興機構 研究成果活用プラザ石川
-
皆森 雅文
金沢大学大学院自然科学研究科
-
高橋 幸大
金沢大学大学院自然科学研究科
-
佐々木 公洋
金沢大学自然科学研究科
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