佐々木 公洋 | 金沢大学自然科学研究科

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概要

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• 金沢大学自然科学研究科の論文著者

関連著者

• 佐々木 公洋

  金沢大学自然科学研究科

• 畑 朋延

  独立行政法人科学技術振興機構 研究成果活用プラザ石川

• 佐々木 公洋

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 佐々木 公洋

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 畑 朋延

  金沢大学工学部

• 佐々木 公洋

  金沢大学工学部

• 畑 朋延

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 畑 朋延

  金沢大学工学部電気電子システム工学科

• 金 済徳

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 池田 乙元

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 池田 乙元

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 川越 進也

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 蓮 達弘

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 北居 正弘

  金沢大学自然科学研究科

• 金 済徳

  金沢大学工学部

• 川越 進也

  金沢大学工学部

• 佐々木 健次

  金沢大学工学部

• 北居 正弘

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 森田 信一

  IHIエアロスペース

• 高橋 幸大

  金沢大学工学部

• 近田 晴彦

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 杉野 誠

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 畑 朋延

  自然科学研究科

• 高田 俊明

  金沢大学工学部電気・情報工学科

• 河合 賢太郎

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 杉山 英孝

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 吉森 和也

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 蓮 達弘

  自然科学研究科

• 皆森 雅文

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 高橋 幸大

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 河合 賢太郎

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 張 威暁

  金沢大学工学部電気・情報工学科

• 渡瀬 博之

  金沢大学自然科学研究科

• 蓮 達弘

  金沢大学工学部/自然科学研究科

• 水谷 道夫

  金沢大学工学部電気・情報工学科

• 吉田 行男

  金沢大学工学部電気電子システム工学科

• 岡田 洋和

  金沢大学工学部電気・情報工学科

• 和泉 亮

  北陸先端科学技術大学院大学

• 岡本 庸一

  防衛大機能材料

• 守本 純

  防衛大機能材料

• 文珠 康真

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 米澤 保人

  石川県工業試験場

• 畑 朋延

  金沢大工学部

• 薮内 誠

  株式会社ルネサステクノロジ

• 守本 純

  防衛大学校材料物性工学

• 守本 純

  防衛大学校 電気情報学群

• 薮内 誠

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 的場 彰成

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 早平 寿夫

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 都築 崇博

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 岡本 庸一

  防衛大学校

• 周 英

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 小島 述央

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 山岸 大朗

  金沢大学工学部

• 千葉 忍

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 元木 詮

  CBC株式会社

• 伊藤 昭彦

  芝浦メカトロニクス株式会社

• 薮内 誠

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 永田 喜也

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 池田 乙元

  自然科学研究科

• 佐々木 健次

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 鍋谷 定孝

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 中野 伸一

  金沢大学工学部

• 小原 一顕

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 岩井 大典

  金沢大工

• 中田 圭一

  金沢大学工学部

• 畑 朋延

  金沢大工

• 佐々木 公洋

  金沢大工

• 山本 純

  金沢大学自然科学研究科

• 坂口 勇太

  金沢大学自然科学研究科

• 成瀬 公博

  金沢大学自然科学研究科

• 池田 乙元

  金沢大学工学部/自然科学研究科

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著作論文

• 超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Pb(Zr, Ti)O_3薄膜の低温・高速堆積用の固体酸素供給源による反応性スパッタ法の提案
• 制限反応スパッタ法によるZrO_2の成長とゲート絶縁膜特性
• 劣化エピタキシャル成長した作製されたSiGe薄膜の熱電性能 : 基板の影響(薄膜プロセス・材料,一般)
• 制限反応スパッタ法によるZrO_2薄膜作製における成長遅れ時間(薄膜プロセス・材料,一般)
• 酸素イオンのスパッタ照射による酸化物薄膜の作製装置(薄膜プロセス・材料,一般)
• 混合ターゲットを用いた歪緩和SiGeの作製(薄膜プロセス・材料,一般)
• 混合ターゲットを用いた歪緩和SiGeの作製
• 制限反応スパッタ法によるZrO_2薄膜の界面構造とゲート絶縁膜特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si、GeのIBS成長におけるスパッタガスの検討(III族窒化物研究の最前線)
• Si、GeのIBS成長におけるスパッタガスの検討(III族窒化物研究の最前線)
• Si、GeのIBS成長におけるスパッタガスの検討(III族窒化物研究の最前線)
• イオンビームスパッタ法によりSiGe成長における水素導入効果
• 反応性スパッタ法を用いたゲート絶縁膜用ZrO_2系薄膜の金属モード成長
• 反応性スパッタ法を用いたゲート絶縁膜用ZrO_2系薄膜の金属モード成長
• Pb(Zr, Ti)O_3薄膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討
• 金属/酸化物モードによるゲート絶縁膜用YSZ超薄膜の形成
• IBS法による選択BドープSi/Ge周期構造の作製とその電気的特性
• IBS法によるSi基板上Geの成長過程とSi/Ge超格子構造
• ECRプラズマCVDによるSi薄膜の低温選択エピタキシャル成長
• ECRプラズマCVDによるSi薄膜の低温選択エピタキシャル成長
• 制限反応スパッタ法によるZrO_2 High-k絶縁膜作製における堆積遅れ時間(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• Pb(Zr, Ti)O_3薄膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討
• Pb(Zr, Ti)O_3薄膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討
• 金属モード反応性スパッタリングで複合、粉末、混合物ターゲットを用いて作製したPZT薄膜の特性
• 金属モード反応性スパッタリングで複合、粉末、混合物ターゲットを用いて作製したPZT薄膜の特性
• 金属モード反応性スパッタリングで複合、粉末、混合物ターゲットを用いて作製したPZT薄膜の特性
• 金属モードスパッタリングによるエピタキシャル高・強誘電体薄膜の作製
• Si, Geのイオンビームスパッタ過程のモンテカルロシミュレーション
• SiGeのIBSによるエピタキシャル成長 : 斜め入射スパッタ過程のシミュレーション
• IBSによるSiGeエピタキシャル成長の基礎特性
• 反応性スパッタリングの新しい展開 : ターゲット構造からのアプローチ
• PD13 トランスジューサ法PASによる横方向熱伝搬に基づく板状試料の熱拡散率測定(ポスターセッション1)
• 新しいスパッタ堆積モードによるPZT薄膜の低温作製
• 反応性スパッタ法を用いたゲート絶縁膜用ZrO2系薄膜の金属モード成長
• イオンビームスパッタ法によるSiGe膜のエプタキシャル成長と巨大熱起電力の発現(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• イオンビームスパッタ法によるSiGe膜のエプタキシャル成長と巨大熱起電力の発現(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• IBS法による歪Si作製に向けた歪緩和SiGe層の表面ラフネス制御(薄膜プロセス・材料,一般)

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