ECRプラズマCVDによるSi薄膜の低温選択エピタキシャル成長
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概要
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ECRプラズマCVD法を用いて、Si膜の低温エピタキシャル成長、及び選択エピタキシャル成長を行った。水素流量150sccm、基板温度350℃で、菊池パターンが観測されるほどの良好な結晶性、表面形態を有するエピタキシャル膜が得られた。また、基板加熱なしでもエピタキシャル成長できることを示した。これらの過程には、成膜時に起きる水素ラジカルによるエッチング作用が重要な役割を果たしている。次に、このエッチング作用の影響が堆積する膜の結晶性によって変化することを利用して、選択成長を試みた。水素流量250sccm、基板温度150℃という条件で、膜厚40nmまで選択エピタキシャル成長ができることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-05-23
著者
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