ECRプラズマCVDによるSi薄膜の選択エピタキシャル成長
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概要
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ECRプラズマCVD法を用いて, Si膜の選択エピタキシャル成長を行った. この方法で成膜を行う際には, 膜の堆積だけではなく, 水素ラジカルによるエッチング作用も同時に発生している. このエッチング速度が膜の結晶性によって変化することを利用して, 選択成長を行った. その結果, Si基板には結晶Siが, SiO_2基板には非晶質Siが成長する条件を満たし, かつ成膜時に起こるエッチング作用を強くすると, 選択成長が実現できることがわかった. また, SiO_2のLine and Spaceパターンをもつ基板に選択成長を行いSEMで観測したところ, 良好な選択成長膜が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-04-25
著者
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