ECRプラズマ堆積Si膜の低温エピタキシャル成長特性
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概要
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ECRプラズマCVD法を用いて, Siのエピタキシャル成長を行っている.Si基板を水素プラズマに曝すとエッチングが起こる.エッチング測度はSi(100)<(110)<(111)の順に大きくなり, これは各面方位での原子の結合構造により説明される.Si膜の堆積時には同時にこのエッチングも起こっており, 適度な水素プラズマによるエッチングにより結晶性のよいSi膜の堆積が可能となる.堆積したSi膜の結晶性は, Si(100), (110), (111)の順によくなった.このような結果となったことにもSiの各面方位の基板の最終面の原子構造の違いが影響していると考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-20
著者
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