IBS法による選択BドープSi/Ge周期構造の作製とその電気的特性
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概要
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イオンビームスパッタ(IBS)法を用いて, Si基板上に高濃度にかつ選択的にBをドーピングしたSi/Ge周期構造を作製した.これにより膜中の原子が格子整合しやすくなり, Bの高濃度活性化が期待できる.GeBターゲット用いて作製した膜中には, Bが2.5×10^<21>cm^<-3>と非常に高い割合で存在しているにも関わらず, 基板温度450℃からB-dope Si/Ge周期構造の良好なエピタキシャル成長がRHEED観察により確認できた.また500℃までにおいて, 低角のXRD測定により膜中の周期性の存在が確認でき, ホール効果測定よりホール濃度4×10^<17>cm^<-3>において移動度400cm^2/Vsという結果が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-19
著者
-
佐々木 公洋
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
畑 朋延
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
高橋 幸大
金沢大学工学部
-
畑 朋延
独立行政法人科学技術振興機構 研究成果活用プラザ石川
-
皆森 雅文
金沢大学大学院自然科学研究科
-
高橋 幸大
金沢大学大学院自然科学研究科
-
鍋谷 定孝
金沢大学大学院自然科学研究科
-
佐々木 公洋
金沢大学自然科学研究科
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