IBS法による歪Si作製に向けた歪緩和SiGe層の表面ラフネス制御(薄膜プロセス・材料,一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
高移動度チャネルを実現する材料として注目されている歪Si。この仮想基板となる歪緩和SiGe。本研究では作製した歪緩和SiGeの歪量、表面平坦性についてイオン源加速電圧、堆積温度、膜厚を変化させて検討した。今回の実験ではイオン源加速電圧500V、堆積温度500℃という条件で完全歪緩和、表面ラフネス2nm、膜厚約200nmというものが得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-11-02
著者
関連論文
- 超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Pb(Zr, Ti)O_3薄膜の低温・高速堆積用の固体酸素供給源による反応性スパッタ法の提案
- 制限反応スパッタ法によるZrO_2の成長とゲート絶縁膜特性
- 劣化エピタキシャル成長した作製されたSiGe薄膜の熱電性能 : 基板の影響(薄膜プロセス・材料,一般)
- 制限反応スパッタ法によるゲート絶縁膜用ZrO_2薄膜のアニール効果の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
- 制限反応スパッタ法によるZrO_2薄膜作製における成長遅れ時間(薄膜プロセス・材料,一般)
- 制限反応スパッタ法によるZrO_2薄膜作製における成長遅れ時間
- 酸素イオンのスパッタ照射による酸化物薄膜の作製装置(薄膜プロセス・材料,一般)
- 酸素イオンのスパッタ照射による酸化物薄膜の作製装置
- 混合ターゲットを用いた歪緩和SiGeの作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- 混合ターゲットを用いた歪緩和SiGeの作製
- 制限反応スパッタ法によるZrO_2薄膜の界面構造とゲート絶縁膜特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si、GeのIBS成長におけるスパッタガスの検討(III族窒化物研究の最前線)
- Si、GeのIBS成長におけるスパッタガスの検討(III族窒化物研究の最前線)
- Si、GeのIBS成長におけるスパッタガスの検討(III族窒化物研究の最前線)
- イオンビームスパッタ法によりSiGe成長における水素導入効果
- 反応性スパッタ法を用いたゲート絶縁膜用ZrO_2系薄膜の金属モード成長
- 反応性スパッタ法を用いたゲート絶縁膜用ZrO_2系薄膜の金属モード成長
- Pb(Zr, Ti)O_3薄膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討
- 金属/酸化物モードによるゲート絶縁膜用YSZ超薄膜の形成
- IBS法による選択BドープSi/Ge周期構造の作製とその電気的特性
- IBS法によるSi基板上Geの成長過程とSi/Ge超格子構造
- ECRプラズマCVDによるSi薄膜の低温選択エピタキシャル成長
- ECRプラズマCVDによるSi薄膜の低温選択エピタキシャル成長
- 制限反応スパッタ法によるZrO_2 High-k絶縁膜作製における堆積遅れ時間(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- Pb(Zr, Ti)O_3薄膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討
- Pb(Zr, Ti)O_3薄膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討
- 金属モード反応性スパッタリングで複合、粉末、混合物ターゲットを用いて作製したPZT薄膜の特性
- 金属モード反応性スパッタリングで複合、粉末、混合物ターゲットを用いて作製したPZT薄膜の特性
- 金属モード反応性スパッタリングで複合、粉末、混合物ターゲットを用いて作製したPZT薄膜の特性
- 金属モードスパッタリングによるエピタキシャル高・強誘電体薄膜の作製
- Si, Geのイオンビームスパッタ過程のモンテカルロシミュレーション
- SiGeのIBSによるエピタキシャル成長 : 斜め入射スパッタ過程のシミュレーション
- IBSによるSiGeエピタキシャル成長の基礎特性
- 反応性スパッタリングの新しい展開 : ターゲット構造からのアプローチ
- PD13 トランスジューサ法PASによる横方向熱伝搬に基づく板状試料の熱拡散率測定(ポスターセッション1)
- 新しいスパッタ堆積モードによるPZT薄膜の低温作製
- 反応性スパッタ法を用いたゲート絶縁膜用ZrO2系薄膜の金属モード成長
- イオンビームスパッタ法によるSiGe膜のエプタキシャル成長と巨大熱起電力の発現(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- イオンビームスパッタ法によるSiGe膜のエプタキシャル成長と巨大熱起電力の発現(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- IBS法による歪Si作製に向けた歪緩和SiGe層の表面ラフネス制御(薄膜プロセス・材料,一般)