混合ターゲットを用いた歪緩和SiGeの作製(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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本研究ではULSI MOSデバイスの性能向上が期待される歪Si/無歪SiGeの作製を目指している.今回はイオンビームスパッタ(IBS)法によりSiGe混合ターゲットを用い歪Si用の歪緩和Si_<0.75>Ge_<0.25>の成膜を行った.IBS法で作製されたSiGeの結晶性は悪く,膜厚及び基板温度の上昇などに対しても著しい変化は見られなかった.また,基板温度の上昇に伴いSiGeが歪緩和することが分かった.ラマン散乱分析の結果,SiGeにはSi-Ge結合と張力歪Si-Si無歪Si-Si結合が存在すること分かった.また,張力歪Si-Siピーク強度の減少及び無歪Si-Siピーク強度の増加に伴いX線回折(XRD)のSiGeピークが高角度側にシフトしてSiGeが歪緩和したことが分かる.このような傾向は,良質なSiGeであればもっと明確になる.現在,SiGeの結晶性改善方法としてSi予備堆積層挿入法が提案している.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-11-03
著者
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佐々木 公洋
金沢大学大学院 自然科学研究科
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畑 朋延
金沢大学大学院 自然科学研究科
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畑 朋延
独立行政法人科学技術振興機構 研究成果活用プラザ石川
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佐々木 公洋
金沢大学大学院自然科学研究科
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吉森 和也
金沢大学大学院 自然科学研究科
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佐々木 公洋
金沢大学自然科学研究科
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