回路およびデバイス工夫による極低電圧動作SRAMの実現 : 非対称MOSFETおよびフォワードボディーバイアス技術を用いた0.5V 100MHz PD-SOI SRAMの開発(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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回路及びデバイス工夫により、0.5V極低電圧で動作可能なSRAMを開発した。微細化と共にSRAMの動作下限電圧(VCCmin)は低下しつつある。これまでアシスト回路による改善が報告されてきたが、1V以下の電源電圧で動作実現するには回路工夫のみでは限界がある。そこで、今回PD-SOIデバイスを用いて、ソース・ドレインのHaloインプラを非対称構造にしたMOSFETをSRAMセルに適用し、かつ、選択セルのみにフォワードボディーバイアス(FBB)をかける制御方法を提案する。90nm PD-SOIで128kb-SRAMを試作した結果、25Cで動作下限電圧0.45Vを達成、また0.5Vで100MHzの動作を確認した。
- 2010-04-15
著者
-
岩松 俊明
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
平野 有一
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
岩松 俊明
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
木原 雄治
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス
-
薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス
-
塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス
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