動的安定性を用いたセルレシオの小さいSRAM用メモリセル(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機用システムLSI,回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))

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概要

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• 0.15umのDRAM技術とTFT技術を用いて開発した新型のSRAMであるSuperSRAMにおいて、SRAMとしての記憶保持メカニズムをDynamic Stabilityという概念を用いて理解し、その特性を吟味する。更に、今後のSRAM開発に役立てるべく検討した内容を示す。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2007-12-06

著者

• 吉原 務

  早稲田大学大学院情報生産システム研究科

• 有田 豊

  藤田保健衛生大学短期大学

• 木原 雄治

  ルネサステクノロジ

• 岡村 玲王奈

  早稲田大学大学院

• 佐藤 広利

  ルネサステクノロジ

• 岡村 怜王奈

  早稲田大学大学院

• 木原 雄治

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 吉原 務

  早稲田大学大学院

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