3.3V単一電源、16MビットDINOR型フラッシュメモリ

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概要

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• DINOR型セルを用い3.3V単一動作の高速ランダムアクセス16Mビットフラッシュメモリを開発した。消去単位を64Kバイト毎(セル面積を1.35μmx1.4μmに縮小)とし、さらにメモリアレイを最小にするアレイ構成を開発した。高速アクセスを得るために選択トランジスタの分散配置構成をとり、十分なセル電流を確保しアクセス時間47nsを実現した。さらにプログラムベリファイ時のビット線シールド手法、トリプルウェルを利用した高効率チャージポンプ、負ポンプの制御回路等の新奇技術についても報告する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1995-05-26

著者

• 三好 寛和

  三菱電機(株) Ulsi開発研究所

• 寺田 康

  三菱電機株式会社ulsi開発研究所

• 三原 雅章

  (株)GENUSION

• 味香 夏夫

  (株)GENUSION

• 吉原 務

  早稲田大学大学院情報生産システム研究科

• 味香 夏夫

  三菱電機株式会社ULSI開発研究所

• 三好 寛和

  三菱電機株式会社ULSI開発研究所

• 小林 真一

  三菱電機株式会社ULSI開発研究所

• 三原 雅章

  三菱電機株式会社ULSI開発研究所

• 宮脇 好和

  三菱電機株式会社ULSI開発研究所

• 石井 元治

  三菱電機株式会社ULSI開発研究所

• 二ツ谷 知士

  三菱電機株式会社ULSI開発研究所

• 細金 明

  三菱電機株式会社ULSI開発研究所

• 大庭 敦

  三菱電機株式会社ULSI開発研究所

• 九ノ里 勇一

  三菱電機株式会社ULSI開発研究所

• 畑中 正宏

  三菱電機株式会社ULSI開発研究所

• 吉原 務

  三菱電機株式会社ULSI開発研究所

• 宇治 勇司

  株式会社日立製作所半導体事業部

• 松尾 章則

  株式会社日立製作所半導体事業部

• 谷口 泰広

  株式会社日立製作所半導体事業部

• 木口 康男

  株式会社日立製作所半導体事業部

• 畑中 正宏

  三菱電機先端技術総合研究所ULSI開発研究所

• 吉原 務

  早稲田大学大学院

• 細金 明

  三菱電機株式会社

• 木口 康男

  株式会社 日立製作所 半導体事業部

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