PchセルによるDINORフラッシュメモリのスケーラビリティの向上

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フラッシュメモリは不揮発性メモリとしてマルチメディア時代に向けた携帯端末機器への搭載など新しい市場を開拓するデバイスとして期待されている。我々はそのために低電圧化に適したDINOR(DIvided bit-line NOR)型フラッシュメモリの開発を進めているが、さらに大容量化や高密度化が求められていくとセル自身のスヶーラビリティの向上が必要となってくる。従来のNch型フラッシュメモリではフローティングゲートからの電子の引き抜きにゲートエッジからのファウラーノルドハイム(FN)トンネル現象を用いている。この方式では引き抜き側の拡散層でのブレークダウン電圧を高くすることや拡散層端におけるバンド間トンネル現象によるリーク電流を抑制することのために拡散層の構造をN層などを設けたグレーディッドな構造にするなどの対策の必要があった。このグレーディッドな拡散層構造のためメモリセルの微細化が困難になっていた。このような問題を解決するための一つの試みとしてメモリセルにPch型のトランジスタを用いた新しいDINORセルの開発を行った。このセルを用いたフラッシュメモリはスヶーラビリテイや信頼性が向上するばかりか、書き込み速度と効率が改善されている。本報告はこのPch型フラッシュメモリを試作し、評価した結果をまとめたものである。
1996-09-18

PchセルによるDINORフラッシュメモリのスケーラビリティの向上

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