DRAM技術を使用した新型SRAM(集積エレクトロニクス)
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概要
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DRAM技術とSRAMで実績のあるTFT技術を用いた新しいメモリセル技術を用いて,16Mビットの低消費電力SRAM (SuperSRAM)を開発した.微細化が進むことでソフトエラー,V_<CC>下限動作等の問題が顕在化し,大容量化を進めていく上での難易度が高くなりつつあるSRAMに対し,小面積化が可能なDRAMメモリセル技術を用いてコストの上昇を伴うことなく諸問題を解決するとともに回路技術を駆使して非同期動作のSRAMとの完全互換を実現した.主に設計的観点から当デバイスの特徴を述べる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-10-01
著者
-
中嶋 泰
(株)ルネサステクノロジ
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吉原 務
早稲田大学大学院情報生産システム研究科
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木原 雄治
ルネサステクノロジ
-
木原 雄治
(株)ルネサステクノロジ
-
岡村 怜王奈
早稲田大学大学院情報生産システム研究科
-
岡村 怜王奈
早稲田大学大学院
-
木原 雄治
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
井筒 隆
(株)ルネサステクノロジMCU事業部
-
中本 正幸
(株)ルネサステクノロジMCU事業部
-
井筒 隆
ルネサステクノロジ
-
中本 正幸
ルネサステクノロジ
-
吉原 務
早稲田大学大学院
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