C-12-41 メモリ高速インタフェースのスルーレート制御手法(C-12. 集積回路D(メモリ), エレクトロニクス2)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-03-07
著者
-
吉原 務
早稲田大学大学院情報生産システム研究科
-
大石 司
(株)ルネサステクノロジ
-
松井 悠亮
早稲田大学大学院
-
小西 康弘
早稲田大学大学院情報生産システム研究科
-
吉原 務
早稲田大学大学院
-
韓 峰
早稲田大学大学院情報生産システム研究科
-
大石 司
早稲田大学大学院情報生産システム研究科
関連論文
- 1.8V動作4MビットフローティングゲートNOR型B4-Flashテストチップを用いた100MByte/sプログラムの考察(集積エレクトロニクス)
- 動的安定性を用いたセルレシオの小さいSRAM用メモリセル(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機用システムLSI,回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- ソフトエラー対策としてのSuperSRAM技術(集積エレクトロニクス)
- 3.3V単一電源、16MビットDINOR型フラッシュメモリ
- NOR型フラッシュメモリにおける過剰消去検出手法とその応用
- 低電圧・高速動作を実現した1.2V単一動作の130nm混載向け1Mbit MRAMコア(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)
- 低電圧・高速動作を実現した1.2V単一動作の130nm混載向け1Mbit MRAMコア
- DRAM技術を使用した新型SRAM(集積エレクトロニクス)
- MRAMに適したパイプライン型セルフリファレンス手法の検討(新メモリ技術とシステムLSI)
- DRAM技術を用いて特性を改善した16M SRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
- 自動車用MCU対応 8kB EEPROMエミュレーションデータフラッシュモジュールと混載フラッシュの動向(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- C-12-41 メモリ高速インタフェースのスルーレート制御手法(C-12. 集積回路D(メモリ), エレクトロニクス2)
- 高集積ダイナミックRAMのビット線容量の測定