低電圧・高速動作を実現した1.2V単一動作の130nm混載向け1Mbit MRAMコア(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)
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概要
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MRAM(Magnetic Random Access Memory)は無制限の書き換え/読み出し回数による高信頼性と高速性を持った不揮発性メモリであり、DRAM、SRAM、フラッシュメモリなど全てに対し置き換えが可能なユニバーサルメモリとして期待されている。これらのMRAMの特徴を最大限に生かすために、標準CMOSプロセスを用いて1.2V動作が可能な混載向けの1Mb-MRAMコアの開発を行った。MRAMのメモリアレイにフォールデッドビット線方式とディバイディッドワード線方式を組み合わせ4層Cuプロセスにて小面積なメモリコアを実現した。また、分散配置型書き込み電流回路の採用とセンス回路に相補型の2ステップセンス方式の採用により低消費電力と低電圧での高速動作できるメモリコアを実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-04-08
著者
-
上野 修一
(株)ルネサステクノロジ
-
日高 秀人
株式会社ルネサステクノロジ
-
大谷 順
株式会社ルネサステクノロジ
-
辻 高晴
(株)ルネサステクノロジ
-
辻 高晴
株式会社ルネサステクノロジ
-
山口 雄一郎
株式会社ルネサステクノロジ
-
谷崎 弘晃
株式会社ルネサスデザイン
-
大石 司
株式会社ルネサステクノロジ
-
谷崎 弘晃
(株)ルネサスデバイスデザイン
-
石川 正敏
(株)ルネサステクノロジ
-
大谷 順
(株)ルネサステクノロジ
-
山口 雄一郎
(株)ルネサステクノロジ
-
大石 司
(株)ルネサステクノロジ
-
日高 秀人
(株)ルネサステクノロジ
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