日高 秀人 | 株式会社ルネサステクノロジ

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概要

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関連著者

• 日高 秀人

  株式会社ルネサステクノロジ

• 大石 司

  株式会社ルネサステクノロジ

• 大谷 順

  株式会社ルネサステクノロジ

• 新納 充貴

  (株)ルネサステクノロジ

• 谷崎 弘晃

  株式会社ルネサスデザイン

• 丸田 昌直

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 辻 高晴

  株式会社ルネサステクノロジ

• 辻 高晴

  (株)ルネサステクノロジ

• 大石 司

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センタ

• 日高 秀人

  三菱電機株式会社 ULSI開発研究所

• 冨嶋 茂樹

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 石川 正敏

  (株)ルネサステクノロジ

• 谷崎 弘晃

  三菱電機エンジニアリング(株)ULSI技術開発センター

• 日高 秀人

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 冨嶋 茂樹

  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

• 上野 修一

  (株)ルネサステクノロジ

• 山口 雄一郎

  株式会社ルネサステクノロジ

• 丸田 昌直

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 大谷 順

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 河越 知也

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 新納 充貴

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 浜田 光洋

  三菱電機株式会社半導体生産・技術統括部

• 新納 充貴

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 浜田 光洋

  三菱電機株式会社 半導体生産・技術統括部

• 河越 知也

  三菱電機株式会社 Ulsi技術開発センター

• 柴山 晃徳

  松下電器産業(株)半導体社開発本部半導体先行開発センター

• 柴山 晃徳

  松下電器産業株式会社

• 辻 高晴

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センタ

• 加藤 宏

  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

• 菊川 博仁

  松下電器産業半導体研究センター

• 高橋 和也

  松下電器産業(株)半導体社開発本部

• 谷崎 弘晃

  (株)ルネサスデバイスデザイン

• 大谷 順

  (株)ルネサステクノロジ

• 山口 雄一郎

  (株)ルネサステクノロジ

• 大石 司

  (株)ルネサステクノロジ

• 日高 秀人

  (株)ルネサステクノロジ

• 辻 高晴

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 川崎 利昭

  松下電器産業(株)半導体社開発本部

• 石川 正敏

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 安部 渉

  松下電器産業(株)半導体社開発本部

• 大石 司

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 井口 敏祐

  松下電器産業(株)半導体社開発本部

• 菊川 博仁

  松下電器産業(株)半導体社開発本部

• 加藤 宏

  三菱電機(株)

• 古田 陽雄

  株式会社ルネサステクノロジ

• 尾崎 英之

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 安田 憲一

  三菱電機(株)ulsi開発センター

• 尾崎 英之

  三菱電機株式会社・LSI研究所・設計技術部

• 小宮 祐一郎

  三菱電機株式会社 ULSI開発研究所

• 浜出 啓

  三菱電機株式会社 ULSI開発研究所

• 朝倉 幹雄

  三菱電機株式会社 ULSI開発研究所

• 安田 憲一

  三菱電機株式会社 ULSI開発研究所

• 古谷 清広

  三菱電機株式会社 ULSI開発研究所

• 加藤 哲男

  三菱電機株式会社 ULSI開発研究所

• 村井 泰光

  株式会社ルネサスデザイン

• 上野 修一

  株式会社ルネサステクノロジ

• 林越 正紀

  株式会社ルネサステクノロジ

• 濱出 啓

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 坂元 正二

  松下電器産業(株)半導体社開発本部

• 福島 義文

  松下電器産業(株)半導体社開発本部

• 内木場 俊貴

  松下電器産業(株)半導体社開発本部

• 井口 敏裕

  松下電器産業(株)半導体社開発本部

• 瀬能 学

  松下電器産業(株)半導体社開発本部

• 丸田 正直

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 井口 敏祐

  松下電器産業(株)半導体開発本部

• 古谷 清広

  三菱電機(株)ULSI開発センター

• 谷崎 弘晃

  三菱電機エンジニアリング(株)電子デバイス事業所

• 日高 秀人

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 小川 大也

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 河野 隆司

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 伊藤 孝

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 鶴田 環

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 西山 崇之

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 長澤 勉

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 川嶋 祥之

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 山内 忠昭

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 林越 正紀

  ルネサスエレクトロニクス

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著作論文

• インピーダンス調整回路を用いた複合型電源電圧降下回路
• セルフリファレンスセンスアンプを用いた高密度1T-4MTJ MRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
• 低電圧・高速動作を実現した1.2V単一動作の130nm混載向け1Mbit MRAMコア(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)
• 低電圧・高速動作を実現した1.2V単一動作の130nm混載向け1Mbit MRAMコア
• 複数メモリコア共有型メモリリペア解析回路の開発(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
• 複数メモリコア共有型メモリリペア解析回路の開発(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
• eDRAM 対応 包括的・リアルタイムリペア解析回路(CRESTA)の開発
• 高効率冗長方式、システムLSI向けテスト容易化機能搭載の0.13μm 32M/64Mビット混載DRAMコア
• 携帯機器用画像処理システムLSI向け小面積、低消費電力混載DRAMマクロ (メモリ・混載メモリ及びIC一般)
• SIP対応駆動能力可変型出力バッファによる高周波ウェハテスト
• SIP対応駆動能力可変型出力バッファによる高周波ウェハテスト
• 車載向け高速、高信頼性40nm混載SG-MONOSフラッシュマクロの開発 : 160MHzランダムアクセス可能コード領域と10M回書き換え可能データ領域の実現(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

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