柴山 晃徳 | 松下電器産業株式会社
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概要
関連著者
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柴山 晃徳
松下電器産業(株)半導体社開発本部半導体先行開発センター
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柴山 晃徳
松下電器産業株式会社
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新居 浩二
株式会社ルネサステクノロジ
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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今岡 進
株式会社ルネサスデザイン
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塚本 康正
株式会社ルネサステクノロジ
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吉澤 知晃
ルネサステクノロジ
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鈴木 利一
松下電器産業(株)半導体社開発本部半導体先行開発センター
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鈴木 利一
松下電器産業
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山上 由展
松下電器産業
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塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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山上 由展
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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新居 浩二
ルネサステクノロジ
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新居 浩二
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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塚本 康正
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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牧野 博之
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
牧野 博之
ルネサステクノロジ
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今岡 進
(株)ルネサスデザイン
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吉澤 知晃
(株)ルネサステクノロジ
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日高 秀人
株式会社ルネサステクノロジ
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今岡 進
ルネサスデザイン
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塚本 康正
ルネサステクノロジ
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辻 高晴
株式会社ルネサステクノロジ
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岩出 秀平
大阪工業大学情報科学部
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岩出 秀平
大阪工業大学情報科学部コンピュータ科学科
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岩出 秀平
大阪工業大学
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辻 高晴
三菱電機株式会社ULSI技術開発センタ
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加藤 宏
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
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菊川 博仁
松下電器産業半導体研究センター
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高橋 和也
松下電器産業(株)半導体社開発本部
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冨嶋 茂樹
三菱電機(株)ULSI開発研究所
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谷崎 弘晃
株式会社ルネサスデザイン
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大石 司
株式会社ルネサステクノロジ
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石川 正敏
(株)ルネサステクノロジ
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辻 高晴
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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川崎 利昭
松下電器産業(株)半導体社開発本部
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谷崎 弘晃
三菱電機エンジニアリング(株)ULSI技術開発センター
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石川 正敏
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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安部 渉
松下電器産業(株)半導体社開発本部
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大石 司
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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日高 秀人
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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井口 敏祐
松下電器産業(株)半導体社開発本部
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菊川 博仁
松下電器産業(株)半導体社開発本部
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加藤 宏
三菱電機(株)
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冨嶋 茂樹
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
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辻 高晴
(株)ルネサステクノロジ
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新納 充貴
(株)ルネサステクノロジ
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古澤 知晃
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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坂元 正二
松下電器産業(株)半導体社開発本部
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福島 義文
松下電器産業(株)半導体社開発本部
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内木場 俊貴
松下電器産業(株)半導体社開発本部
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井口 敏裕
松下電器産業(株)半導体社開発本部
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瀬能 学
松下電器産業(株)半導体社開発本部
-
新納 充貴
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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丸田 正直
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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井口 敏祐
松下電器産業(株)半導体開発本部
-
丸田 昌直
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
著作論文
- 高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- タイミング自己調整回路を用いた低消費電カデュアルポートSRAMの開発(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- 高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較
- タイミング自己調整回路を用いた低消費電力デュアルポートSRAMの開発
- 90nmテクノロジにおける携帯機器向け低消費電力LSIに搭載するSRAMのゲートリーク低減方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 90nmテクノロジにおける携帯機器向け低消費電力LSIに搭載するSRAMのゲートリーク低減方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 高効率冗長方式、システムLSI向けテスト容易化機能搭載の0.13μm 32M/64Mビット混載DRAMコア
- 携帯機器用画像処理システムLSI向け小面積、低消費電力混載DRAMマクロ (メモリ・混載メモリ及びIC一般)