塚本 康正 | (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部の論文著者

関連著者

• 塚本 康正

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 塚本 康正

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 塚本 康正

  株式会社ルネサステクノロジ

• 新居 浩二

  株式会社ルネサステクノロジ

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジー

• 新居 浩二

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 山上 由展

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 山上 由展

  松下電器産業

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジ

• 大林 茂樹

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 牧野 博之

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 今岡 進

  株式会社ルネサスデザイン

• 大林 茂樹

  株式会社ルネサステクノロジ

• 牧野 博之

  ルネサステクノロジ

• 今岡 進

  (株)ルネサスデザイン

• 吉澤 知晃

  ルネサステクノロジ

• 鈴木 利一

  松下電器産業(株)半導体社開発本部半導体先行開発センター

• 柴山 晃徳

  松下電器産業(株)半導体社開発本部半導体先行開発センター

• 鈴木 利一

  松下電器産業

• 柴山 晃徳

  松下電器産業株式会社

• 薮内 誠

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 篠原 尋史

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 薮内 誠

  株式会社ルネサステクノロジ

• 篠原 尋史

  株式会社ルネサステクノロジ

• 石橋 孝一郎

  (株)ルネサステクノロジ 製品技術本部設計基盤技術開発部

• 吉澤 知晃

  (株)ルネサステクノロジ

• 石橋 孝一郎

  (株)ルネサステクノロジ

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 篠原 尋史

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 薮内 誠

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 篠原 尋史

  (株)半導体理工学研究センター

• 石倉 聡

  松下電器産業

• 大芦 敏行

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 車田 総希

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 寺野 登志夫

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 粉谷 直樹

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 里見 勝治

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 赤松 寛範

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 長田 健一

  (株)日立製作所中央研究所

• 赤松 寛範

  松下電器産業(株)半導体先行開発センター

• 赤松 寛範

  松下電器産業

• 里見 勝治

  松下電器産業

• 永久 克己

  (株)ルネサステクノロジ

• 谷沢 元昭

  (株)ルネサステクノロジ

• 宮崎 裕行

  (株)日立製作所 中央研究所

• 山岡 雅直

  (株)日立製作所 中央研究所

• 永久 克巳

  (株)ルネサステクノロジ

• 石橋 孝一郎

  (株)日立製作所中央研究所

• 石橋 孝一郎

  ルネサスエレクトロニクス

• 山岡 雅直

  日立製作所中央研究所

• 山岡 雅直

  (株)日立製作所中央研究所

• 寺野 登志夫

  松下電器産業

• 粉谷 直樹

  松下電器産業(株)半導体社システムlsi事業本部基盤技術開発センター

• 車田 総希

  松下電器産業(株)半導体社システムlsi事業本部基盤技術開発センター

• 寺野登 志夫

  松下電器産業

• 薮内 誠

  ルネサスエレクトロニクス:金沢大学

• 谷沢 元昭

  ルネサステクノロジ株式会社

• 山岡 雅直

  日立製作所・中央研究所

• 小田 祐士

  (株)シキノハイテック

• 古澤 知晃

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 永久 克己

  株式会社ルネサステクノロジ

• 長田 健一

  株式会社日立製作所

• 長田 健一

  (株)日立製作所 中央研究所

もっと見る 閉じる

著作論文

• 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法(新メモリ技術とシステムLSI)
• 高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
• タイミング自己調整回路を用いた低消費電カデュアルポートSRAMの開発(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
• 高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較
• タイミング自己調整回路を用いた低消費電力デュアルポートSRAMの開発
• SOCを低電力化する回路技術とデバイスモデルの課題(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• SOCを低電力化する回路技術とデバイスモデルの課題

スポンサーリンク