大林 茂樹 | 株式会社ルネサステクノロジ
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概要
関連著者
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大林 茂樹
株式会社ルネサステクノロジ
-
塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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塚本 康正
株式会社ルネサステクノロジ
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新居 浩二
株式会社ルネサステクノロジ
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薮内 誠
株式会社ルネサステクノロジ
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篠原 尋史
株式会社ルネサステクノロジ
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篠原 尋史
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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新居 浩二
ルネサステクノロジ
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篠原 尋史
(株)半導体理工学研究センター
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牧野 博之
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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今岡 進
株式会社ルネサスデザイン
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牧野 博之
ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
(株)日立製作所中央研究所
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石橋 孝一郎
ルネサスエレクトロニクス
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五十嵐 元繁
株式会社ルネサステクノロジ
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
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塚本 康正
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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大林 茂樹
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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石倉 聡
松下電器産業
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山口 泰男
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
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山口 泰男
株式会社ルネサステクノロジ
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ
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川島 光
株式会社ルネサステクノロジ
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寺野 登志夫
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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赤松 寛範
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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竹内 雅彦
株式会社ルネサステクノロジ
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牧野 博之
株式会社ルネサステクノロジ
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塚本 和宏
株式会社ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
株式会社ルネサステクノロジ
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薮内 誠
ルネサステクノロジ
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塚本 康正
ルネサステクノロジ
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大林 茂樹
ルネサステクノロジ
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篠原 尋史
ルネサステクノロジ
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山上 由展
松下電器産業
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赤松 寛範
松下電器産業(株)半導体先行開発センター
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赤松 寛範
松下電器産業
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里見 勝治
松下電器産業
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寺野 登志夫
松下電器産業
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寺野登 志夫
松下電器産業
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山口 泰男
三菱電機(株)ulsi開発研究所
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山上 由展
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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里見 勝治
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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新居 浩二
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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薮内 誠
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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篠原 尋史
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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石橋 孝一郎
ルネサステクノロジ
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今岡 進
ルネサスデザイン
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増田 康浩
ルネサスデザイン
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五十嵐 元繁
ルネサステクノロジ
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冨田 和朗
ルネサステクノロジ
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坪井 信生
ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ 製品技術本部設計基盤技術開発部
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大芦 敏行
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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車田 総希
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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粉谷 直樹
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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長田 健一
(株)日立製作所中央研究所
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永久 克己
(株)ルネサステクノロジ
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谷沢 元昭
(株)ルネサステクノロジ
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宮崎 裕行
(株)日立製作所 中央研究所
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山岡 雅直
(株)日立製作所 中央研究所
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永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
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山岡 雅直
日立製作所中央研究所
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山岡 雅直
(株)日立製作所中央研究所
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粉谷 直樹
松下電器産業(株)半導体社システムlsi事業本部基盤技術開発センター
-
車田 総希
松下電器産業(株)半導体社システムlsi事業本部基盤技術開発センター
-
谷沢 元昭
ルネサステクノロジ株式会社
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山岡 雅直
日立製作所・中央研究所
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今岡 進
(株)ルネサスデザイン
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小田 祐士
(株)シキノハイテック
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永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
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河野 和史
株式会社ルネサステクノロジ生産本部プロセス技術統括部プロセス開発部
-
米津 俊明
株式会社ルネサステクノロジ生産本部プロセス技術統括部プロセス開発部
-
荒川 政司
株式会社ルネサステクノロジ生産本部プロセス技術統括部プロセス開発部
-
浅野 喜宣
株式会社ルネサステクノロジ生産本部プロセス技術統括部プロセス開発部
-
内田 孝裕
株式会社ルネサステクノロジ生産本部プロセス技術統括部プロセス開発部
-
岩本 猛
株式会社ルネサステクノロジ生産本部プロセス技術統括部プロセス開発部
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新井 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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長田 健一
株式会社日立製作所
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長田 健一
(株)日立製作所 中央研究所
著作論文
- ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発
- 局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法(新メモリ技術とシステムLSI)
- SOCを低電力化する回路技術とデバイスモデルの課題(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SOCを低電力化する回路技術とデバイスモデルの課題
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 高信頼性を実現した銅溶断型電気ヒューズ技術の開発(配線・実装技術と関連材料技術)