篠原 尋史 | ルネサスエレクトロニクス株式会社
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概要
関連著者
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篠原 尋史
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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篠原 尋史
株式会社ルネサステクノロジ
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篠原 尋史
(株)半導体理工学研究センター
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塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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新居 浩二
株式会社ルネサステクノロジ
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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薮内 誠
株式会社ルネサステクノロジ
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塚本 康正
株式会社ルネサステクノロジ
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大林 茂樹
株式会社ルネサステクノロジ
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牧野 博之
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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新居 浩二
ルネサステクノロジ
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牧野 博之
ルネサステクノロジ
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今岡 進
株式会社ルネサスデザイン
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石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ
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五十嵐 元繁
株式会社ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
(株)日立製作所中央研究所
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石橋 孝一郎
ルネサスエレクトロニクス
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
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石倉 聡
松下電器産業
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山口 泰男
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
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山口 泰男
株式会社ルネサステクノロジ
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ
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川島 光
株式会社ルネサステクノロジ
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寺野 登志夫
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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赤松 寛範
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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鈴木 弘明
株式会社ルネサステクノロジ
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竹内 雅彦
株式会社ルネサステクノロジ
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牧野 博之
株式会社ルネサステクノロジ
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塚本 和宏
株式会社ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
株式会社ルネサステクノロジ
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薮内 誠
ルネサステクノロジ
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塚本 康正
ルネサステクノロジ
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大林 茂樹
ルネサステクノロジ
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篠原 尋史
ルネサステクノロジ
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山上 由展
松下電器産業
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赤松 寛範
松下電器産業(株)半導体先行開発センター
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赤松 寛範
松下電器産業
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里見 勝治
松下電器産業
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寺野 登志夫
松下電器産業
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寺野登 志夫
松下電器産業
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山口 泰男
三菱電機(株)ulsi開発研究所
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山上 由展
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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里見 勝治
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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新居 浩二
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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薮内 誠
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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塚本 康正
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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大林 茂樹
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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篠原 尋史
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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石橋 孝一郎
ルネサステクノロジ
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今岡 進
ルネサスデザイン
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増田 康浩
ルネサスデザイン
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五十嵐 元繁
ルネサステクノロジ
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冨田 和朗
ルネサステクノロジ
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坪井 信生
ルネサステクノロジ
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大芦 敏行
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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車田 総希
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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粉谷 直樹
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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藪内 誠
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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中瀬 泰伸
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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高田 英裕
株式会社ルネサステクノロジ
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栗本 昌憲
株式会社ルネサステクノロジ
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山中 唯生
株式会社ルネサスデザイン
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中瀬 泰伸
ルネサスエレクトロニクス
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粉谷 直樹
松下電器産業(株)半導体社システムlsi事業本部基盤技術開発センター
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車田 総希
松下電器産業(株)半導体社システムlsi事業本部基盤技術開発センター
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新井 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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上田 公大
三菱電機株式会社
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上田 公大
三菱電機システムLSI開発研究所
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今岡 進
(株)ルネサスデザイン
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小田 祐士
(株)シキノハイテック
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石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ 製品技術本部設計基盤技術開発部
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牧野 博之
大阪工業大学情報科学部コンピュータ科学科
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秋山 励
株式会社ルネサスデザイン
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鹿嶋 一生
株式会社ルネサステクノロジ
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山中 唯生
ルネサスデザイン
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大熊 晴之
株式会社ルネサスデザイン
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鈴木 弘明
三菱電機システムLSI開発研究所
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須田 核太郎
三菱電機ULSI開発研究所
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辻橋 良樹
三菱電機システムLSI開発研究所
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篠原 尋史
三菱電機開発本部
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中瀬 泰伸
三菱電機LSI研究所
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須田 核太郎
三菱電機LSI研究所
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鈴木 弘明
三菱電機LSI研究所
-
牧野 博之
三菱電機LSI研究所
-
篠原 尋史
三菱電機LSI研究所
-
牧野 博之
大阪工業大学
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス
-
塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス
-
高田 英裕
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
藪内 誠
ルネサスエレクトロニクス
著作論文
- 依頼講演 負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM (集積回路)
- ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発
- 局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法(新メモリ技術とシステムLSI)
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
- 負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 45nm CMOSにおけるばらつき低減を目的とした基板バイアス制御技術の提案(学生・若手研究会)
- エラー検出FFを用いたDVSにおけるShort Path PenaltyとOR-Tree Latencyの低減手法(招待講演1,物理設計及び一般)
- パストランジスタBiCMOSゲートを用いた高速64ビット加算器
- BiCMOSワイヤドOR論理