山上 由展 | 松下電器産業

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概要

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関連著者

• 山上 由展

  松下電器産業

• 新居 浩二

  株式会社ルネサステクノロジ

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジー

• 塚本 康正

  株式会社ルネサステクノロジ

• 塚本 康正

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 山上 由展

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジ

• 今岡 進

  株式会社ルネサスデザイン

• 鈴木 利一

  松下電器産業(株)半導体社開発本部半導体先行開発センター

• 鈴木 利一

  松下電器産業

• 新居 浩二

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 塚本 康正

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 牧野 博之

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 赤松 寛範

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 牧野 博之

  ルネサステクノロジ

• 吉澤 知晃

  ルネサステクノロジ

• 柴山 晃徳

  松下電器産業(株)半導体社開発本部半導体先行開発センター

• 柴山 晃徳

  松下電器産業株式会社

• 赤松 寛範

  松下電器産業(株)半導体先行開発センター

• 赤松 寛範

  松下電器産業

• 里見 勝治

  松下電器産業

• 石倉 聡

  松下電器産業

• 寺野 登志夫

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 里見 勝治

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 薮内 誠

  株式会社ルネサステクノロジ

• 大林 茂樹

  株式会社ルネサステクノロジ

• 篠原 尋史

  株式会社ルネサステクノロジ

• 今岡 進

  (株)ルネサスデザイン

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 篠原 尋史

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 薮内 誠

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 寺野 登志夫

  松下電器産業

• 寺野登 志夫

  松下電器産業

• 篠原 尋史

  (株)半導体理工学研究センター

• 薮内 誠

  ルネサスエレクトロニクス:金沢大学

• 吉澤 知晃

  (株)ルネサステクノロジ

• 大芦 敏行

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 車田 総希

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 粉谷 直樹

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 薮内 誠

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 大林 茂樹

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 篠原 尋史

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 今岡 進

  ルネサスデザイン

• 塚本 康正

  ルネサステクノロジ

• 山内 寛行

  福岡工業大学 情報工学部

• 岩出 秀平

  大阪工業大学情報科学部

• 岩出 秀平

  大阪工業大学情報科学部コンピュータ科学科

• 岩出 秀平

  大阪工業大学

• 粉谷 直樹

  松下電器産業(株)半導体社システムlsi事業本部基盤技術開発センター

• 車田 総希

  松下電器産業(株)半導体社システムlsi事業本部基盤技術開発センター

• 古澤 知晃

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

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著作論文

• 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
• タイミング自己調整回路を用いた低消費電カデュアルポートSRAMの開発(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
• 高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較
• リード/ライト同時ディスターブ・アクセスに対して安定なSRAMセル設計手法(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• タイミング自己調整回路を用いた低消費電力デュアルポートSRAMの開発
• 90nmテクノロジにおける携帯機器向け低消費電力LSIに搭載するSRAMのゲートリーク低減方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• リード/ライト同時ディスターブ・アクセスに対して安定なSRAMセル設計手法(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 90nmテクノロジにおける携帯機器向け低消費電力LSIに搭載するSRAMのゲートリーク低減方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))

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