鈴木 利一 | 松下電器産業
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概要
関連著者
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鈴木 利一
松下電器産業(株)半導体社開発本部半導体先行開発センター
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鈴木 利一
松下電器産業
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山上 由展
松下電器産業
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新居 浩二
株式会社ルネサステクノロジ
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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山上 由展
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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今岡 進
株式会社ルネサスデザイン
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塚本 康正
株式会社ルネサステクノロジ
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吉澤 知晃
ルネサステクノロジ
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柴山 晃徳
松下電器産業(株)半導体社開発本部半導体先行開発センター
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柴山 晃徳
松下電器産業株式会社
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塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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新居 浩二
ルネサステクノロジ
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新居 浩二
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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塚本 康正
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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牧野 博之
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
牧野 博之
ルネサステクノロジ
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今岡 進
(株)ルネサスデザイン
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吉澤 知晃
(株)ルネサステクノロジ
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赤松 寛範
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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今岡 進
ルネサスデザイン
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塚本 康正
ルネサステクノロジ
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山内 寛行
福岡工業大学 情報工学部
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岩出 秀平
大阪工業大学情報科学部
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岩出 秀平
大阪工業大学情報科学部コンピュータ科学科
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岩出 秀平
大阪工業大学
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赤松 寛範
松下電器産業(株)半導体先行開発センター
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赤松 寛範
松下電器産業
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里見 勝治
松下電器産業
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岩田 徹
松下電器産業(株)半導体社開発本部
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里見 勝治
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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古澤 知晃
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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鈴木 利一
松下電子工業(株)メモリ事業部
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山内 寛行
松下電器産業(株)半導体社開発本部
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岩田 徹
松下電器(株) 半導体研究センター
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山内 寛行
松下電器(株) 半導体研究センター
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藤田 勉
松下電器産業(株) 半導体研究センター
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辻 敏明
松下電器産業半導体研究センター
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岩田 徹
パナソニック(株)戦略半導体開発センター
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藤田 勉
松下電器産業半導体研究センター
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澤田 昭弘
松下電器
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谷口 隆
松下電子工業
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福本 正紀
松下電器
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岩田 徹
松下電器産業半導体研究センター
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福本 正紀
松下電子工業(株)京都研究所
著作論文
- 高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- タイミング自己調整回路を用いた低消費電カデュアルポートSRAMの開発(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- 高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較
- リード/ライト同時ディスターブ・アクセスに対して安定なSRAMセル設計手法(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- タイミング自己調整回路を用いた低消費電力デュアルポートSRAMの開発
- 90nmテクノロジにおける携帯機器向け低消費電力LSIに搭載するSRAMのゲートリーク低減方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- リード/ライト同時ディスターブ・アクセスに対して安定なSRAMセル設計手法(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 90nmテクノロジにおける携帯機器向け低消費電力LSIに搭載するSRAMのゲートリーク低減方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 高速・低電圧16M CMOS DRAM