福本 正紀 | 松下電子工業(株)京都研究所

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概要

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関連著者

• 福本 正紀

  松下電子工業(株)京都研究所

• 岩田 徹

  松下電器産業(株)半導体社開発本部

• 鈴木 利一

  松下電器産業(株)半導体社開発本部半導体先行開発センター

• 鈴木 利一

  松下電器産業

• 鈴木 利一

  松下電子工業(株)メモリ事業部

• 山内 寛行

  松下電器産業(株)半導体社開発本部

• 岩田 徹

  松下電器(株) 半導体研究センター

• 山内 寛行

  松下電器(株) 半導体研究センター

• 藤田 勉

  松下電器産業(株) 半導体研究センター

• 辻 敏明

  松下電器産業半導体研究センター

• 岩田 徹

  パナソニック(株)戦略半導体開発センター

• 藤田 勉

  松下電器産業半導体研究センター

• 真弓 周一

  松下電子工業(株)半導体事業本部プロセス開発センター

• 澤田 昭弘

  松下電器

• 谷口 隆

  松下電子工業

• 福本 正紀

  松下電器

• 岩田 徹

  松下電器産業半導体研究センター

• 藤居 豊和

  松下電子工業(株)京都研究所

• 関口 満

  松下電器(株)半導体研究センター

• 山中 通成

  松下電器(株)半導体研究センター

• 真弓 周一

  松下電器(株)半導体研究センター

• 藤居 豊和

  松下電子工業

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著作論文

• 高速・低電圧16M CMOS DRAM
• W表面酸化膜が熱処理時のAl / W配線の抵抗上昇に及ぼす効果

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