岩田 徹 | 松下電器産業(株)半導体社開発本部
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概要
関連著者
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岩田 徹
松下電器産業(株)半導体社開発本部
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岩田 徹
パナソニック(株)戦略半導体開発センター
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岩田 徹
松下電器産業半導体研究センター
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松下電器産業(株)半導体社開発本部
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松下電器産業(株)半導体先行開発センター
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松澤 昭
松下電器産業株式会社半導体開発本部
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赤松 寛範
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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赤松 寛範
松下電器産業
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寺田 裕
松下電器産業(株)半導体先行開発センター
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松澤 昭
松下電器産業(株)
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松澤 昭
松下電器産業
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岩田 徹
松下電器(株) 半導体研究センター
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山内 寛行
松下電器(株) 半導体研究センター
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小谷 久和
松下電器(株) 半導体研究センター
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江渕 剛志
パナソニック(株)戦略半導体開発センター
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小松 義英
パナソニック(株)戦略半導体開発センター
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吉河 武文
パナソニック(株)戦略半導体開発センター
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松澤 昭
松下電器産業株式会社
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道正 志郎
パナソニック(株)戦略半導体開発センタ要素第1開発グループ
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道正 志郎
パナソニック株式会社戦略半導体開発センタ
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赤松 寛範
松下電器(株) 半導体研究センター
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藤田 勉
松下電器産業(株) 半導体研究センター
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小谷 久和
松下電器産業(株) 半導体研究センター
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辻 敏明
松下電器産業半導体研究センター
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三浦 成友
パナソニック(株)戦略半導体開発センター
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千葉 智子
パナソニック(株)戦略半導体開発センター
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藤田 勉
松下電器産業半導体研究センター
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道正 志郎
パナソニック 戦略半導体開発セ
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松下電器産業(株)半導体社
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山本 裕雄
松下電器産業株式会社
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鈴木 利一
松下電器産業(株)半導体社開発本部半導体先行開発センター
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鈴木 利一
松下電器産業
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鈴木 利一
松下電子工業(株)メモリ事業部
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松澤 昭
松下電器(株) 半導体研究センター
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松澤 昭
松下電器産業(株)半導体社半導体先行開発センター
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西村 佳壽子
松下電器産業(株)半導体社
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小松 義英
松下電器産業(株)半導体開発本部
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松沢 昭
松下電器産業株式会社半導体研究センター
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山本 裕雄
松下電子工業(株) LSI開発センター
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平田 貴士
松下電器(株) 半導体研究センター
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松沢 昭
松下電器(株)半導体研究センター
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内藤 康志
松下電器産業半導体研究センター
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藤居 豊和
松下電器産業半導体研究センター
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吉田 忠弘
松下電器産業(株)半導体社開発本部
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吉田 忠弘
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吉田 忠弘
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松沢 昭
松下電器産業
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谷口 隆
松下電子工業
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福本 正紀
松下電器
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江渕 剛志
松下電器産業(株)半導体社開発本部
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吉河 武文
松下電器産業(株)半導体社開発本部
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有馬 幸生
松下電器産業(株)半導体社開発本部
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福本 正紀
松下電子工業(株)京都研究所
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藤居 豊和
松下電子工業(株)京都研究所
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平田 貴士
松下電器産業(株)半導体先行開発センター
著作論文
- 0.5V単一電源動作を実現するための回路技術
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- ED積を用いたGate-Over-diving CMOS Architectureの評価
- 間欠的電源接続方式による1V動作のMTCMOSデータ保持回路
- 0.8V/100MHz動作を実現するための低消費電力SRAMセルアーキテクチャーの提案
- 動画記憶に適した100MHzシリアル入出力ポートを有する256Mb DRAM
- レプリカVCOゲインキャリブレーションを用いた適応電力型ワイドレンジトランシーバの開発(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- レプリカVCOゲインキャリブレーションを用いた適応電力型ワイドレンジトランシーバの開発(要素回路技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 高速・低電圧16M CMOS DRAM
- ハイブリッドポートアーキテクチャを備えた民生ネットワーク向け800Mb/s対応物理層LSIの開発
- 超低保持電流DRAMを実現するための回路技術
- 超ロングリフレッシュDRAMを実現するための負電圧ワード線ドライバーの提案
- 16MbitDRAMにおけるメモリセルリーク電流の評価
- 超低保持電流DRAM回路技術 (特集/メモリデバイス) -- (半導体メモリ)