16MbitDRAMにおけるメモリセルリーク電流の評価
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概要
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DRAMにおいて、メモリセルのストレージノードに保存された電荷は、メモリセルトランジスタのオフリーク電流や、PN接合リーク電流として消失する。今回我々はメモリセルリーク電流を測定する方法を開発し、16MbitDRAMで、メモリセルリーク電流を評価した。PN接合バイアスを緩和することが、保持時間(データ保持が可能な時間)の拡大に有効であることを確認したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
岩田 徹
松下電器産業(株)半導体社開発本部
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山内 寛行
松下電器産業(株)半導体社開発本部
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小谷 久和
松下電器(株) 半導体研究センター
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小谷 久和
松下電器産業(株) 半導体研究センター
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岩田 徹
パナソニック(株)戦略半導体開発センター
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岩田 徹
松下電器産業半導体研究センター
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