0.8V/100MHz動作を実現するための低消費電力SRAMセルアーキテクチャーの提案
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概要
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SRM4が0.8V以下の電圧で100MHzの高速動作を要求されるとき, メモリーセルに求められるゲート・ソース間の電圧の昇圧の実現を従来技術の1/14に相当する5mW以下の低消費電力で達成できる回路技術を提案する. それは, 1)データ記憶ノード電位の並行昇圧移動方式, 2) オフセットソース線電位のオーバードライプ方式, 3)クロスポイント選択を可能にする電荷再利用型コラム選択・ワード線方向ソース線駆動力式に特徴をもつ.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-08-23
著者
-
岩田 徹
松下電器産業(株)半導体社開発本部
-
赤松 寛範
松下電器産業(株)半導体先行開発センター
-
山内 寛行
松下電器産業(株)半導体社開発本部
-
松澤 昭
松下電器産業株式会社半導体開発本部
-
赤松 寛範
松下電器(株) 半導体研究センター
-
岩田 徹
松下電器(株) 半導体研究センター
-
山内 寛行
松下電器(株) 半導体研究センター
-
松沢 昭
松下電器(株)半導体研究センター
-
岩田 徹
パナソニック(株)戦略半導体開発センター
-
松澤 昭
松下電器産業株式会社
-
岩田 徹
松下電器産業半導体研究センター
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