0.5V単一電源動作を実現するための回路技術
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概要
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電源電圧1Vの動作を効率よく実現するGate-Over-Driving CMOS(GO-CMOS)Archi-tectureを提案する. 特長は以下の2点である. 1)負荷が小さな部分に関しては, 超低しきい値(-0.1Vかそれ以下)トランジスタを用いる代わりに昇圧電源を印加する. 2)重い負荷を駆動するドライバ回路に関しては, ポンプ回路の過度の負担を避けるために, ゲートのみを昇圧し, ドライバの電源は昇圧せずに外部から直接供給する. GO-CMOSによって, 電源電圧0.5Vにおいて従来の2倍の高速動作, 或いは従来比1/15の低消費電力を実現した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-06-19
著者
-
松澤 昭
松下電器産業(株)
-
岩田 徹
松下電器産業(株)半導体社開発本部
-
赤松 寛範
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
-
赤松 寛範
松下電器産業(株)半導体先行開発センター
-
赤松 寛範
松下電器産業
-
山内 寛行
松下電器産業(株)半導体社開発本部
-
寺田 裕
松下電器産業(株)半導体先行開発センター
-
松澤 昭
松下電器産業(株)半導体社半導体先行開発センター
-
松澤 昭
松下電器産業株式会社半導体開発本部
-
松澤 昭
松下電器産業
-
岩田 徹
パナソニック(株)戦略半導体開発センター
-
岩田 徹
松下電器産業半導体研究センター
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