MESH-Array構造MOSを用いた900MHz帯CMOS低雑音増幅器
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概要
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900MHz帯低雑音増幅器(LNA)を0.35μmCMOSプロセスを用いて実現した。優れた高周波特性を持つMA-MOS (Mesh-Arrayed MOSFET)を用い, 回路の最適化のためにボンディングパッドでの基板の損失やトランジスタの寄生素子の影響を解析した。その結果、非サリサイドプロセスでありながら、9mW(Vdd=3V)という低消費電力で、NFmin=1.8dB、Gain=14.8dB、IIP3=-2.5dBの結果を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-22
著者
-
松澤 昭
松下電器産業(株)
-
木村 博
松下電器産業(株)半導体社
-
下村 浩
松下電器産業株式会社
-
松澤 昭
松下電器産業(株)半導体社半導体先行開発センター
-
松澤 昭
松下電器産業
-
林 錠二
松下電器産業株式会社半導体開発本部
-
林 錠二
松下電器産業(株)
-
林 錠二
松下電器産業
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