Mesh-Array構造のSi-MOSFETを用いた高周波回路の検討 (<特集> アナログ・アナデジLSIおよび一般)
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概要
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移動体通信機器には、従来からGaAs ICおよびBipolar/BiCMOS LSIが広く使用されてきた。しかしながら、通信機器の小型化・ローコスト化を視野に入れた1チップのアナログ/ディジタル混載LSIの実現を考えるとき、Si-MOSFET技術は新しい候補となってきている。我々は、現在生産レベルにある0.35μmCMOS技術を使用して、顕著な高周波特性を実現するMOSFETの構成、Mesh-Arrayed MOSFET(MA-MOS)を提案し、ゲート長0.4μmのNMOSにて、最小雑音指数Nfmin=1.7dB(@2GHz)、最大発振周波数 fmax=48GHz を実現したので報告する。また、MA-MOSを適用したローノイズ・アンプ(Low Noise Amplifier: LNA)の回路特性の評価結果についても報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-27
著者
-
松澤 昭
松下電器産業(株)
-
木村 博
松下電器産業(株)半導体社
-
下村 浩
松下電器産業株式会社
-
松澤 昭
松下電器産業
-
林 錠二
松下電器産業株式会社半導体開発本部
-
中村 敬
松下通信工業(株)パーソナルコミュニケーション事業部
-
平井 健裕
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
神田 彰弘
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
小倉 基次
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
小倉 基次
松下電器産業(株)中央研究所
-
林 錠二
松下電器産業(株)
-
林 錠二
松下電器産業
-
小倉 基次
松下電器産業
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