アナログ回路設計に適したCMOSデバイス特性の表現法 : 動作電流によるアナログ特性の記述と応用を中心として (<特集> アナログ・アナデジLSIおよび一般)
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概要
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0.4umルールのCMOSトランジスタのgmやgdsなどのアナログ特性を実測し、この特性をアナログ回路設計に適した動作電流の関数で表記した。特に2乗特性領域においてはバイアス電流を導入することによって実際の特性を表現できることを示し、サブスレッショルド領域から2乗特性領域への遷移領域が2乗特性のβ係数を小さくすることで表現し、更に速度飽和領域におけるgm特性をIdsの関数として導出するとともに、各種動作モードの動作電流領域を示した。また、gdsがIdsの指数関数となることを示し、この結果、微細なCMOSを用いた増幅器の電流に対する利得特性が従来とは大きく異なることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-27
著者
-
松澤 昭
松下電器産業(株)
-
木村 博
松下電器産業(株)半導体社
-
下村 浩
松下電器産業株式会社
-
松澤 昭
松下電器産業
-
林 錠二
松下電器産業株式会社半導体開発本部
-
西村 佳寿子
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
林 錠二
松下電器産業(株)
-
林 錠二
松下電器産業
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