山内 寛行 | 松下電器産業(株)半導体社開発本部
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概要
関連著者
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山内 寛行
松下電器産業(株)半導体社開発本部
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岩田 徹
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松下電器産業(株)半導体先行開発センター
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松下電器産業(株)半導体先行開発センター
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松下電器産業(株)半導体開発本部
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松下電器産業(株)半導体先行開発センター
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松下電器産業(株)半導体開発本部
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松下電器産業(株)半導体開発本部
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松下電器(株) 半導体研究センター
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片山 泰尚
日本アイ・ビー・エム株式会社東京基礎研究所
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旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 源一郎
九州大学薬学部
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松下電器産業(株)半導体社
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松下電器産業株式会社
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松下電器産業(株)半導体社開発本部半導体先行開発センター
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松下電子工業(株)メモリ事業部
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松澤 昭
松下電器(株) 半導体研究センター
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西村 佳壽子
松下電器産業(株)半導体社
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松沢 昭
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松下電器産業(株)半導体社開発本部
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福本 正紀
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著作論文
- 高速インターフェイス用低消費電力同相電位発生回路の提案
- 低電圧動作高速シリアルインタフェース用ドライバ回路
- 0.5V単一電源動作を実現するための回路技術
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- ED積を用いたGate-Over-diving CMOS Architectureの評価
- 間欠的電源接続方式による1V動作のMTCMOSデータ保持回路
- 0.8V/100MHz動作を実現するための低消費電力SRAMセルアーキテクチャーの提案
- ローカルデータバスに適した電荷再利用型バスアーキテクチャーの提案
- 超低消費電力で大容量転送レートを実現するULSIのための電荷再利用型バスアーキテクチャーの提案
- ディジタルコンシューマ時代に向けたメモリ技術(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集3 不揮発性メモリ)
- ディジタルコンシューマ時代に向けたメモリ技術
- 高速・低電圧16M CMOS DRAM
- ハイブリッドポートアーキテクチャを備えた民生ネットワーク向け800Mb/s対応物理層LSIの開発
- 高速クロックリカバリ用ビット変換回路の開発
- 超低保持電流DRAMを実現するための回路技術
- 超ロングリフレッシュDRAMを実現するための負電圧ワード線ドライバーの提案
- 16MbitDRAMにおけるメモリセルリーク電流の評価
- 超低保持電流DRAM回路技術 (特集/メモリデバイス) -- (半導体メモリ)