高速・低電圧16M CMOS DRAM
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概要
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バッテリー電圧(1.8V〜3.6V)で高速に動作するアドレスマルチ方式の16Mb CMOS DRAMを開発した。高速化のために電流センシングを用いた並列コラム読み出し方式、疑似スタティックリードバスアンプ、ゲート分離型低Vtビット線センスアンプ方式を新規に開発した。その結果、0.5μmCMOS技術を用いた実チップで、Vcc=3.3Vで20ns、Vcc=1.8Vで36nsのRASアクセス時間を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-05-27
著者
-
岩田 徹
松下電器産業(株)半導体社開発本部
-
鈴木 利一
松下電器産業(株)半導体社開発本部半導体先行開発センター
-
鈴木 利一
松下電器産業
-
鈴木 利一
松下電子工業(株)メモリ事業部
-
山内 寛行
松下電器産業(株)半導体社開発本部
-
岩田 徹
松下電器(株) 半導体研究センター
-
山内 寛行
松下電器(株) 半導体研究センター
-
藤田 勉
松下電器産業(株) 半導体研究センター
-
辻 敏明
松下電器産業半導体研究センター
-
岩田 徹
パナソニック(株)戦略半導体開発センター
-
藤田 勉
松下電器産業半導体研究センター
-
澤田 昭弘
松下電器
-
谷口 隆
松下電子工業
-
福本 正紀
松下電器
-
岩田 徹
松下電器産業半導体研究センター
-
福本 正紀
松下電子工業(株)京都研究所
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