動画記憶に適した100MHzシリアル入出力ポートを有する256Mb DRAM
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概要
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16MX16ビット構成のシルアル入出力ポートを有し,動画を記憶するのに適した256MビットDRAMを0.25μmCMOS技術を用いて開発した。低電力化を図るために,0.6Vという低電圧で動作するHレベルを抑制したデータ転送方式,リード時1, 2VCC,ライト時VSSでプリチャージする新規プリチャージ方式,アレイ分割動作方式の回路技術を開発した。その結果100MHzの高速動作で従来比52%の73mAの低消費電流を達成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-05-27
著者
-
岩田 徹
松下電器産業(株)半導体社開発本部
-
赤松 寛範
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
-
赤松 寛範
松下電器産業(株)半導体先行開発センター
-
赤松 寛範
松下電器産業
-
小谷 久和
松下電器(株) 半導体研究センター
-
藤田 勉
松下電器産業(株) 半導体研究センター
-
小谷 久和
松下電器産業(株) 半導体研究センター
-
内藤 康志
松下電器産業半導体研究センター
-
藤居 豊和
松下電器産業半導体研究センター
-
辻 敏明
松下電器産業半導体研究センター
-
岩田 徹
パナソニック(株)戦略半導体開発センター
-
藤田 勉
松下電器産業半導体研究センター
-
岩田 徹
松下電器産業半導体研究センター
-
藤居 豊和
松下電子工業(株)京都研究所
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