ED積を用いたGate-Over-diving CMOS Architectureの評価
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概要
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携帯機器の普及により, LSIのローパワー化の要求がある。ローパワーを実現するもっとも効率的な方法は供給電源電圧を低下させることであるが, 電源電圧を低下させると駆動電流が減少するため, 性能を維持するためにはトランジスタのしきい値電圧Vtを低下させなければならない。しかしながらVtの極端な低下はオフリーク電流による動作電流の爆発的な増大をまねく。このような課題に対して我々はGO-CMOSを提案した。またさまざまな条件下でED積を用いて従来回路との比較およびその評価を行ったのでここに報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
岩田 徹
松下電器産業(株)半導体社開発本部
-
赤松 寛範
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
-
赤松 寛範
松下電器産業(株)半導体先行開発センター
-
赤松 寛範
松下電器産業
-
山内 寛行
松下電器産業(株)半導体社開発本部
-
寺田 裕
松下電器産業(株)半導体先行開発センター
-
松澤 昭
松下電器産業株式会社半導体開発本部
-
松沢 昭
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
岩田 徹
パナソニック(株)戦略半導体開発センター
-
松澤 昭
松下電器産業株式会社
-
松沢 昭
松下電器産業
-
岩田 徹
松下電器産業半導体研究センター
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