超ロングリフレッシュDRAMを実現するための負電圧ワード線ドライバーの提案
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概要
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PCカードや半導体ディスクに於いて、DRAMがSRAMを置き替えるために備えるべき1つの条件として、バッテリーバックアップ状態に於ける消費電流が、SRAM並の1uA/MB以下を実現することである。我々は、過去にDRAMのリフレッシュ間隔を現在の60倍以上にすることで、その消費電流が0.5uA/MB以下のDRAMを実現できる可能性を示した。本論文では、その超ロングリフレッシュを実現するための主要回路技術であり、メモリーセルの接合リーク電流低減を可能にした、新規プレート制御型セルフリフレッシュ方式を簡単に述べ、主には、その方式を実現する上で重要な回路技術である負電圧ワード線ドライバー方式について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
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