同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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概要
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45nm世代のシステムLSIをターゲットとしたシングルビット線の8T型メモリセルを用いた新規2ポートSRAMを提案する。シングルビット線の8T型メモリセルを2ポートSRAMに適用した場合に課題となるメモリアレイ内の同一ロウでの同時Read/Writeアクセス時の速度低下と誤読出しについて説明した後、その解決策であるローカルアンプ共有型の階層読出しビット線技術、読出し終了検知レプリカ回路、ローカルビット線ダミー容量を提案し、45nm LSTP CMOSプロセスでの試作結果について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-08-16
著者
-
新居 浩二
株式会社ルネサステクノロジ
-
石倉 聡
松下電器産業
-
新居 浩二
ルネサステクノロジー
-
大芦 敏行
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
車田 総希
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
-
寺野 登志夫
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
-
山上 由展
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
-
粉谷 直樹
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
-
里見 勝治
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
-
新居 浩二
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
薮内 誠
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
塚本 康正
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
大林 茂樹
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
牧野 博之
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
篠原 尋史
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
赤松 寛範
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
-
薮内 誠
株式会社ルネサステクノロジ
-
塚本 康正
株式会社ルネサステクノロジ
-
大林 茂樹
株式会社ルネサステクノロジ
-
篠原 尋史
株式会社ルネサステクノロジ
-
牧野 博之
ルネサステクノロジ
-
山上 由展
松下電器産業
-
赤松 寛範
松下電器産業(株)半導体先行開発センター
-
赤松 寛範
松下電器産業
-
里見 勝治
松下電器産業
-
新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
篠原 尋史
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
新居 浩二
ルネサステクノロジ
-
寺野 登志夫
松下電器産業
-
粉谷 直樹
松下電器産業(株)半導体社システムlsi事業本部基盤技術開発センター
-
車田 総希
松下電器産業(株)半導体社システムlsi事業本部基盤技術開発センター
-
寺野登 志夫
松下電器産業
-
篠原 尋史
(株)半導体理工学研究センター
-
薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
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