低電圧動作ゲートアレイ向けSRAMメモリセルの高速化検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
過去に, ゲートアレイの基本セルを用いた低電圧動作可能なマルチポートRAMのメモリセル回路が発表された。しかし, 低電圧下では動作速度が低下してしまい, 所望のスピードが得られない問題があった。本稿では, 低電圧動作かつ高速動作を目的とした新しいメモリセルを提案する。そしてbulk/CMOS及び低電圧デバイスとして注目されるSOI/CMOSに適用し, 速度性能及び面積の観点から従来型と比較したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
新居 浩二
株式会社ルネサステクノロジ
-
新居 浩二
三菱電機(株)
-
浜野 尚徳
三菱電機(株)システムLSI事業統括部
-
新居 浩二
三菱電機(株)システムlsi開発研究所
-
岩出 秀平
三菱電機(株)システムlsi開発研究所
関連論文
- ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- DVS環境下での小面積・低電圧動作8T SRAMの設計(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- ビット線電力を74%削減する動画像処理応用10T非プリチャージ2-portSRAMの設計(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI)
- パーシャルトレンチ分離構造を用いたバルクレイアウト互換0.18μm SOI CMOS技術
- ボディ電圧制御型SOIゲートアレイを用いた0.5V 320MHz 8ビットMUX/DEMUX
- 部分空乏型トランジスタを用いたCADライブラリ共有型SOI/CMOSゲートアレイ
- ボディバイアス可変型SOI-CMOSドライバー回路
- 高速通信用LSIにおけるSOI/CMOS 回路設計技術
- 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発
- 局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法(新メモリ技術とシステムLSI)
- 高集積・低電力を実現した90nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI一般 : ISSCC2004特集)
- 高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- タイミング自己調整回路を用いた低消費電カデュアルポートSRAMの開発(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- 高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較
- 書き込みマージンを増加させた低電力SoC向け混載SRAM(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集1 SRAM)
- タイミング自己調整回路を用いた低消費電力デュアルポートSRAMの開発
- 90nmテクノロジにおける携帯機器向け低消費電力LSIに搭載するSRAMのゲートリーク低減方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 低電圧動作ゲートアレイ向けSRAMメモリセルの高速化検討
- ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM
- ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 部分空乏型トランジスタを用いたCADライブラリ共有型SOI/CMOSゲートアレイ
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 90nmテクノロジにおける携帯機器向け低消費電力LSIに搭載するSRAMのゲートリーク低減方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 3次元配線容量シミュレーションに基づいたサブ100mm世代eSRAMのスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元配線容量シミュレーションに基づいたサブ100nm世代eSRAMのスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ボディバイアス可変型SOI-CMOSドライバー回路
- ボディバイアス可変型SOI-CMOSドライバー回路
- 高速通信用LSIにおけるSOI/CMOS 回路設計技術
- 高速通信用LSIにおけるSOI/CMOS 回路設計技術
- 4)512×512画素シリコン・ショットキバリア赤外イメージセンサ(テレビジョン電子装置研究会)
- 疑似乱数アドレッシングによるRAMテストに適したテストパターンの提案
- フラグスキャンレジスタを用いた内蔵 RAM テスト
- 動的基板制御による非対称SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)