ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM(<特集>IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
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概要
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独自のハイブリッドトレンチ分離を用いて,分離酸化膜を貫通して下部のSOI層へ電気的接触部を形成する直接ボディコンタクト構造を開発した.これにより,素子面積や寄生容量の増大を引き起こさずに,個々のトランジスタのボディ電位を制御できるSOIトランジスタ構造(Actively Body-bias Controlled (ABC) SOI構造)を実現することができた.このABC-SOI構造を用いて,アクセストランジスタとドライバトランジスタのボディ部をワードラインに接続した新構造SRAM(ABC-SOI SRAM)を開発した.ABC-SOI SRAMにより,スタンバイ電流の増加無しに,低電圧,高速動作を達成することが可能となった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-09
著者
-
新居 浩二
株式会社ルネサステクノロジ
-
平野 有一
三菱電機(株)
-
一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
-
犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ
-
平野 有一
(株)ルネサステクノロジ
-
前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
大路 譲
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
-
新居 浩二
ルネサステクノロジー
-
大路 譲
株式会社日立製作所半導体事業部
-
塚本 康正
株式会社ルネサステクノロジ
-
平野 有一
株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
一法師 隆志
株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
前川 繁登
株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
平野 有一
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
新居 浩二
ルネサステクノロジ
-
大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ
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