ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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SESO (Single Electron Shut-off)トランジスタのプロセスを見直し、ロジックプロセス互換性を実現した。90nmロジックプロセスにより、SESOメモリとして初めてアレイの試作・評価を行い、ソフトエラーのシミュレーションも行った。その結果、0.1FIT/Mbのソフトエラー、100MHzのランダムサイクル、100msのリテンション特性を確認した。また、書き込みを高速化するキャッシュ方式やSESOトランジスタを用いた論理回路用ダイナミックラッチ回路の検討も行った。
- 2008-07-10
著者
-
一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
岩松 俊明
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
秋山 悟
日立製作所・中央研究所
-
石井 智之
日立
-
渡部 隆夫
日立中央研究所
-
石井 智之
(株)日立製作所中央研究所
-
峰 利之
(株)日立製作所中央研究所
-
柳沢 一正
(株)ルネサステクノロジ
-
秋山 悟
(株)日立製作所中央研究所
-
亀代 典史
(株)日立製作所中央研究所
-
渡部 隆夫
(株)日立製作所中央研究所
-
佐野 俊明
(株)ルネサス北日本セミコンダクタ
-
伊部 英史
(株)日立製作所中央研究所
-
高橋 保彦
(株)ルネサステクノロジ
-
岩松 俊明
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
渡部 隆夫
日立製作所中央研究所 ソリューションlsi研究センタulsi研究部
-
石井 智之
日立製作所中央研究所
-
石井 智之
神奈川工科大学情報学部
-
峰 利之
日立製作所中央研究所
-
渡部 隆夫
(株)日立製作所 中央研究所
-
一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ
-
渡部 隆夫
(株)日立製作所
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