ナノスケール時代のDRAM : 非1T1Cアプローチ(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ナノスケール時代に向けた種々のAM技術を紹介する。1T1C DRAMは安定動作の観点からはSRAMよりもスケーラビリティに優れると考えられるが、保持時間や蓄積容量の確保において困難がある。本発表では1T1C型DRAM以外の種々のアプローチについて述べる。電子10個にて記憶を行うDRAMを実現できる可能性を有するSESOメモリについても紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-04-07
著者
-
石井 智之
日立
-
石井 智之
日立製作所 中央研究所
-
石井 智之
(株)日立製作所中央研究所
-
石井 智之
日立製作所中央研究所ulsi研究部
-
石井 智之
日立製作所中央研究所
-
石井 智之
神奈川工科大学情報学部
関連論文
- ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 90-65nmテクノロジーに対応できるオンチップメモリは?
- ナノメートル時代に向けた半導体素子技術 (特集2 ナノテクノロジーとMEMSが切り開く日本の未来)
- モバイル機器用高密度オンチップメモリーSESO
- ナノ構造シリコンメモリー
- 極薄ポリSiを用いたスケーラブルメモリSESO
- ナノドット不揮発性メモリMEID
- C-11-3 SESO:低電力システムLSI向け大容量メモリの提案
- ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 128Mbit単一電子メモリー
- 128Mbit単一電子メモリ
- 128Mbit単一電子メモリ
- スケーラビリティを考慮したP2Pストリーミングにおける動的トポロジ構築法(ポストIPネットワーキング,ネットワークモデル,インターネットトラヒック,TCP/IP,マルチメディア通信,ネットワーク管理,リソース管理,プライベートネットワーク, NW安全性,及び一般)
- 室温動作単一電子メモリーおよびトランジスタ
- ナノスケール時代のDRAM : 非1T1Cアプローチ(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)
- ナノスケール時代のDRAM : 非1T1Cアプローチ
- 単一電子メモリ (特集 2000年を迎えたエレクトロニクス分野の注目技術)
- 単一電子メモリLSI
- マルチストリーミング環境下でのP2Pストリーミングにおける初期ピア配置法(P2P)