極薄ポリSiを用いたスケーラブルメモリSESO
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概要
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ロジックプロセス整合性がよく、低清費電力で高集積化が可能なオンチップメモリSESO(Single Electrom Shut Off Memory)を提案する。極薄ポリSiをチャネルに用いたTFT構造ではリーク電流をバルクMOSよりも低減できる。これにより従来DRAMよりも蓄積電荷量の小さいメモリを実現することが可能となる。プロトタイプ試作において10^<-19>Aの低リークを実現し、基本動作に成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-04-05
著者
-
矢野 和男
日立
-
矢野 和男
(株)日立製作所中央研究所
-
矢野 和男
早大理工
-
長部 太郎
(株)日立製作所 中央研究所
-
石井 智之
日立
-
矢野 和男
日立製作所中央研究所
-
石井 智之
日立製作所 中央研究所
-
長部 太郎
日立製作所 中央研究所
-
峰 利之
日立製作所 中央研究所
-
村井 二三夫
日立製作所 中央研究所
-
石井 智之
(株)日立製作所中央研究所
-
峰 利之
(株)日立製作所中央研究所
-
矢野 和男
日立製作所基礎研究所
-
石井 智之
日立製作所中央研究所
-
石井 智之
神奈川工科大学情報学部
-
峰 利之
日立製作所中央研究所
-
矢野 和男
?日立製作所中央研究所
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