電子線ポジ型化学増幅系レジストPSRの現像特性評価とプロセス応用
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概要
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電子線ポジ型レジストPSRを用いた単層レジストプロセスについて検討を行った。レジストの溶解特性を検討した結果PSRの厚膜での微細加工性は、副反応生成物の溶解阻害効果に支配されることがわかった。この現象は微細なホールパターンを形成した際に、パターン中央部のレジストの盛り上がりとして確認された。この副反応を抑えるにはノボラック樹脂を構成する成分の混合比率を調整し、微細なパターンにおける溶解特性を考慮した溶解性の高い樹脂を用いることが有効であることがわかった。最適化した樹脂で構成されるレジストを用いることにより、1.6μm膜厚で0.4μmホールパターンの形成が可能となった。このレジストを酸化膜の加工マスクに用いて加工性を検討したところ、良好なパターン形状が得られることが確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-10-28
著者
-
村井 二三夫
日立製作所 中央研究所
-
白石 洋
株式会社日立製作所中央研究所
-
長谷川 恵子
(株)日立超lsiエンジニアリング
-
早川 肇
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
山口 秀範
(株)日立製作所中央研究所
-
逆水 登志夫
(株)日立製作所中央研究所
-
山口 秀範
日立製作所中央研究所
-
逆水 登志夫
日立製作所中央研究所
-
白石 洋
日立製作所中央研究所
-
岡崎 信次
日立製作所中央研究所
-
早川 肇
日立製作所デバイス開発センタ
-
長谷川 恵子
日立超LSIエンジニアリング
-
岡崎 信次
(株)日立製作所 中央研究所
-
岡崎 信次
株式会社日立製作所 中央研究所
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