リソグラフィー (<特集> ミクロを創る 2.半導体-1)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ULSIの高集積化は,微細なパターンを形成するリソグラフィー技術,特に光リソグラフィーの発展により支えられてきた.しかし今,ULSIの要求する最小寸法は,転写光の波長と同程度になってきており,光の限界が叫ばれている.このような状況を突破するため,転写波長の短波長化や,超解像技術といった光の解像力向上技術や,電子線の高速化,X線の高精度化等,新しい方式の開発も進んでいる.またレジスト材料にも化学増幅系等,新しい動きがある.本稿は,最新のリソグラフィー技術の動向について専門の方々にご執筆頂いたものである.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-25
著者
-
大木 茂久
Ntt Lsi研究所
-
安田 洋
富士通
-
岡崎 信次
(株)日立製作所中央研究所
-
笠間 邦彦
日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所
-
安田 洋
富士通株式会社プロセス開発部
-
中瀬 眞
(株)東芝研究開発センター
-
中瀬 眞
東芝 研開セ
-
岡崎 信次
(株)日立製作所 中央研究所
-
岡崎 信次
株式会社日立製作所 中央研究所
-
岡崎 信次
(株)日立製作所
関連論文
- 超解像光リソグラフィ
- リソグラフィー ( ミクロを創る 2.半導体-1)
- EBブロック露光技術による0.15μmパターンの形成
- 電子線による一括図形転写露光(ブロック露光)技術
- ギガスケールメモリ対応リソグラフィ技術の展望
- 電子線単層ポジ型レジストプロセスの開発
- 電子線ポジ型化学増幅系レジストPSRの現像特性評価とプロセス応用
- 3p-F-16 極微細MOSFETのしきい電圧付近の電気伝導異常
- 超LSIにおける微細加工の動向
- 超LSIにおける微細加工の動向
- 極端紫外線(EUV)リソグラフィー用高分子材料への期待
- 位相シフトリソグラフィー - 位相シフト露光法による光リソグラフィーの解像力向上 -
- 光リソグラフィ技術の進展と今後の展開
- X線マスク (SORリソグラフィ)
- リソグラフィとドライエッチング技術による超LSI微細加工 (ハイ-インテリジェンス機器の設計技術--90年代対応"5つの課題"と品質保証) -- (事例編)
- ハーフピッチ32nm技術対応のリソグラフィー技術 (特集 最新リソグラフィー技術--更なる微細化に向かって)
- リソグラフィ技術
- 超高密度集積回路用リソグラフィ
- ビーム応用
- 位相シフト技術