EBブロック露光技術による0.15μmパターンの形成

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
0.2μm以下のパターン露光技術として、EBブロック露光技術を報告する。ブロック露光は、開孔パターンを形成したマスクに電子線を透過させビーム成形し、その断面を1/100に縮小してウェハーに転写する。最小線幅0.15μmの微細で複雑な露光パターンであっても、マスクパターンが用意されているものについては、ウェハー上約5μmロの領域を一度に露光できる。従って1Gb、4GbDRAMのメモリセルパターンなど、微細であるが大部分が繰り返し図形で構成されている回路パターンを、効率よく露光することができる。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-09-05

著者

関連論文

スポンサーリンク