ギガスケールメモリ対応リソグラフィ技術の展望
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概要
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来世紀初頭に商品化されると期待されているギガビット級メモリLSIにおいては,その入口においても0.18μm以下,量産最盛期においては1GbitDRAMの場合で0.13μm程度の微細加工が要求されている。ここでは、我々が試作した1GbitDRAMをベースに、このような微細な寸法が形成可能なリソグラフィ技術の可能性とその課題について報告する。メモリを対象としたときのパターンの特徴は繰り返し性が高いことと、配線層と穴層でそのパターン密度が大きく異なることである。この特徴を踏まえ,配線層と穴層に分けて述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
田中 稔彦
(株)日立製作所中央研究所
-
村井 二三夫
日立製作所 中央研究所
-
村井 二三夫
(株)日立製作所中央研究所
-
岡崎 信次
(株)日立製作所中央研究所
-
今井 彰
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
浅井 尚子
(株)日立製作所半導体開発センタ
-
岡崎 信次
(株)日立製作所 中央研究所
-
岡崎 信次
株式会社日立製作所 中央研究所
-
岡崎 信次
(株)日立製作所
-
浅井 尚子
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
浅井 尚子
(株)日立製作所 中央研究所
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