ナノドット不揮発性メモリMEID
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概要
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高信頼不揮発性メモリとしてのナノドット記憶ノードメモリ実用化の最大の障害である特性ばらつきの問題の要因を明らかにし、ドット径、密度を変えて試作したメモリセルを用いて検証する。Gbクラスの大容量メモリ実現可能な見通しを得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-04-05
著者
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矢野 和男
日立
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矢野 和男
(株)日立製作所中央研究所
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矢野 和男
早大理工
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長部 太郎
(株)日立製作所 中央研究所
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石井 智之
日立
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矢野 和男
日立製作所中央研究所
-
石井 智之
日立製作所 中央研究所
-
長部 太郎
日立製作所 中央研究所
-
峰 利之
日立製作所 中央研究所
-
村井 二三夫
日立製作所 中央研究所
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石井 智之
(株)日立製作所中央研究所
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峰 利之
(株)日立製作所中央研究所
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矢野 和男
日立製作所基礎研究所
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石井 智之
日立製作所中央研究所
-
石井 智之
神奈川工科大学情報学部
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峰 利之
日立製作所中央研究所
-
矢野 和男
?日立製作所中央研究所
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