多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2006-08-10
著者
-
笹子 佳孝
(株)日立製作所 中央研究所
-
倉田 英明
(株)日立製作所 中央研究所
-
大津賀 一雄
(株)日立製作所 中央研究所
-
小田部 晃
(株)日立製作所 中央研究所
-
梶山 新也
(株)日立製作所 中央研究所
-
長部 太郎
(株)日立製作所 中央研究所
-
鳴海 俊一
ルネサステクノロジ
-
冨上 健司
ルネサステクノロジ
-
蒲原 史朗
ルネサステクノロジ
-
土屋 修
ルネサステクノロジ
-
蒲原 史朗
(株)ルネサステクノロジ
-
倉田 英明
(株)日立製作所
-
小田部 晃
(株)日立製作所中央研究所
関連論文
- スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit3次元積層DRAMアーキテクチャ (シリコン材料・デバイス)
- 多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響
- AG-ANDフラッシュメモリにおける多値高速書込み技術 : 多値レベルに応じて最適容量を選択する改良型定電荷注入書込み方式(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集3 不揮発性メモリ)
- 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ
- 4Gb AG-ANDフラッシュメモリにおいて16MB/sを実現する多値高速書込み技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 10MB/s多値高速書込み実現のための1Gb AG-AND型フラッシュメモリセルデバイス技術(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- コンテンツ配信用ギガスケールAG-AND型フラッシュメモリセル
- (4)ディープサブミクロンMOSFETの応力起因ドレイン電流変動評価手法の開発(論文,日本機械学会賞〔2007年度(平成19年度)審査経過報告〕)
- ディープサブミクロンMOSFETの応力起因ドレイン電流変動評価手法の開発
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリおよび一般)
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリ及び一般)
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ナノメートル時代に向けた半導体素子技術 (特集2 ナノテクノロジーとMEMSが切り開く日本の未来)
- モバイル機器用高密度オンチップメモリーSESO
- 極薄ポリSiを用いたスケーラブルメモリSESO
- ナノドット不揮発性メモリMEID
- C-11-3 SESO:低電力システムLSI向け大容量メモリの提案
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 大容量DRAMの技術動向とサブ1-V DRAM動作低しきい値高感度アンプ動的制御方式(メモリ技術)
- 書換え電流100μA,書換え速度416kB/sで動作する混載向け512kB相変化メモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
- 電荷収集と寄生バイポーラ効果を考慮したSRAMの中性子ソフトエラー解析(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)
- AG-ANDフラッシュメモリにおける多値高速書込み技術 : 多値レベルに応じて最適容量を選択する改良型定電荷注入書込み方式(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 4Gb AG-ANDフラッシュメモリにおいて16MB/sを実現する多値高速書込み技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 90nmノードAG-ANDフラッシュメモリのためのソースサイド注入書込みのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 90nmノードAG-ANDフラッシュメモリのためのソースサイド注入書込みのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 0.5V DRAMアレイ向け低しきい値CMOSプリアンプ(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit 3次元積層DRAMアーキテクチャ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit 3次元積層DRAMアーキテクチャ(グリーン・コンピューティング,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 1GビットAG-ANDフラッシュメモリの開発 : 多値方式における書き込み高速化技術(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- 従来型メモリセルの1/3の面積を実現する縦型MOSを用いた4トランジスタSRAMセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 従来型メモリセルの1/3の面積を実現する縦型MOSを用いた4トランジスタSRAMセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- ED2000-130 / SDM2000-112 / ICD-2000-66 DRAMリフレッシュエンジニアリングモデル
- ED2000-130 / SDM2000-112 / ICD2000-66 DRAMリフレッシュエンジニアリングモデル
- 多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 3次元集積化技術を利用した高スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1GbitマルチコアDRAMアーキテクチャ (集積回路)
- 4F[2] DRAMアレイ向け基板内ビット線型超低ノイズセンスアンプ (集積回路)
- 4F[2] DRAMアレイ向け基板内ビット線型超低ノイズセンスアンプ (シリコン材料・デバイス)
- 0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ (集積回路)
- 0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ (シリコン材料・デバイス)
- スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit 3次元積層DRAMアーキテクチャ
- 3次元集積化技術を利用した高スループットコンピューティング向け1 Tbyte/s 1 GbitマルチコアDRAMアーキテクチャ(3次元メモリ・インタフェース,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 4F^2DRAMアレイ向け基板内ビット線型超低ノイズセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 4F^2DRAMアレイ向け基板内ビット線型超低ノイズセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 依頼講演 0.5V動作高速CMOS LSIの実現に向けたデバイス特性考慮回路設計 (集積回路)
- 0.5V動作高速CMOS LSIの実現に向けたデバイス特性考慮回路設計(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- CT-2-3 DRAMの低電圧・低電力化技術(CT-2.サブ0.5V時代に向けた低電圧・低電力メモリ技術,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- 大容量/高速ストレージを実現する3次元相変化メモリ(固体メモリ・媒体,一般)