倉田 英明 | (株)日立製作所

スポンサーリンク

概要

• 倉田 英明の詳細を見る
• 同名の論文著者
• (株)日立製作所の論文著者

関連著者

• 倉田 英明

  (株)日立製作所 中央研究所

• 倉田 英明

  (株)日立製作所

• 笹子 佳孝

  (株)日立製作所 中央研究所

• 笹子 佳孝

  日立製作所中央研究所

• 大津賀 一雄

  (株)日立製作所 中央研究所

• 小林 孝

  (株)日立製作所中央研究所

• 土屋 修

  ルネサステクノロジ

• 有金 剛

  (株)日立製作所中央研究所

• 有金 剛

  日立 中研

• 鳴海 俊一

  ルネサステクノロジ

• 小堺 健司

  (株)ルネサステクノロジ

• 野田 敏史

  (株)ルネサステクノロジ

• 河村 哲史

  (株)日立製作所中央研究所

• 池田 良広

  (株)ルネサステクノロジ

• 古沢 和則

  (株)ルネサステクノロジ

• 清水 雅裕

  (株)ルネサステクノロジ

• 小田部 晃

  (株)日立製作所 中央研究所

• 梶山 新也

  (株)日立製作所 中央研究所

• 長部 太郎

  (株)日立製作所 中央研究所

• 冨上 健司

  ルネサステクノロジ

• 蒲原 史朗

  ルネサステクノロジ

• 久米 均

  (株)日立製作所中央研究所

• 土屋 修

  (株)ルネサステクノロジ

• 蒲原 史朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 久米 均

  日立製作所中央研究所

• 小田部 晃

  (株)日立製作所中央研究所

• 佐藤 聡彦

  (株)ルネサステクノロジ

• 佐伯 俊一

  日立デバイスエンジニアリング(株)

• 後藤 康

  (株)日立製作所中央研究所

• 栄森 貴尚

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)ルネサステクノロジ

• 園田 賢一郎

  株式会社ルネサステクノロジ

• 谷沢 元昭

  ルネサステクノロジ株式会社

• 大路 譲

  株式会社日立製作所半導体事業部

• 後藤 康

  (株)日立製作所 中央研究所

• 石川 清志

  株式会社ルネサステクノロジ

• 栄森 貴尚

  (株)ルネサステクノロジ

• 大路 譲

  (株)ルネサステクノロジ

• 谷沢 元昭

  (株)ルネサステクノロジ

• 石川 清志

  (株)ルネサステクノロジ

• 園田 賢一郎

  (株)ルネサステクノロジ

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 鳴海 俊一

  (株)ルネサステクノロジ

• 石川 清志

  ルネサステクノロジ

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 本間 和樹

  (株)ルネサステクノロジ

• 伊藤 輝彦

  (株)ルネサステクノロジ

• 蒲原 史郎

  (株)日立製作所半導体グループ

• 奥山 裕

  (株)日立製作所中央研究所

• 木村 勝高

  (株)日立製作所中央研究所

• 奥山 裕

  日立製作所・中央研究所

• 岸本 次郎

  (株)日立製作所半導体事業部

• 鳴海 俊一

  (株)日立製作所・中央研究所

• 吉田 敬一

  (株)日立製作所半導体事業部

• 土屋 修

  (株)日立製作所半導体事業部

• 高瀬 賢順

  (株)日立製作所半導体事業部

• 池田 良広

  (株)日立製作所半導体事業部

• 古沢 和則

  (株)日立製作所半導体事業部

• 伊澤 和人

  (株)日立製作所半導体事業部

• 吉竹 貴之

  (株)日立製作所半導体事業部

• 金光 道太郎

  (株)日立超LSIシステムズ

もっと見る 閉じる

著作論文

• 多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響
• AG-ANDフラッシュメモリにおける多値高速書込み技術 : 多値レベルに応じて最適容量を選択する改良型定電荷注入書込み方式(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集3 不揮発性メモリ)
• 4Gb AG-ANDフラッシュメモリにおいて16MB/sを実現する多値高速書込み技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 10MB/s多値高速書込み実現のための1Gb AG-AND型フラッシュメモリセルデバイス技術(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
• コンテンツ配信用ギガスケールAG-AND型フラッシュメモリセル
• AG-ANDフラッシュメモリにおける多値高速書込み技術 : 多値レベルに応じて最適容量を選択する改良型定電荷注入書込み方式(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 4Gb AG-ANDフラッシュメモリにおいて16MB/sを実現する多値高速書込み技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 90nmノードAG-ANDフラッシュメモリのためのソースサイド注入書込みのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 90nmノードAG-ANDフラッシュメモリのためのソースサイド注入書込みのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 1GビットAG-ANDフラッシュメモリの開発 : 多値方式における書き込み高速化技術(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
• 多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク