有金 剛 | (株)日立製作所中央研究所

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• 有金 剛

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• 有金 剛

  日立 中研

• 笹子 佳孝

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• 倉田 英明

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• 小林 孝

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• 大津賀 一雄

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• 小堺 健司

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• 野田 敏史

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• 河村 哲史

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• 池田 良広

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• 古沢 和則

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• 久米 均

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• 本間 和樹

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• 佐伯 俊一

  日立デバイスエンジニアリング(株)

• 後藤 康

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• 後藤 康

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• 八田 有尹

  東北大学大学院工学研究科材料物性学専攻

• 和田山 智正

  Department Of Materials Science Graduate School Of Engineering Tohoku University

• 蒲原 史郎

  (株)日立製作所半導体グループ

• 奥山 裕

  (株)日立製作所中央研究所

• 木村 勝高

  (株)日立製作所中央研究所

• 和田山 智正

  東北大学大学院工学研究科材料物性学専攻

• 有金 剛

  東北大学大学院工学研究科材料物性学専攻

• 奥山 裕

  日立製作所・中央研究所

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著作論文

• AG-ANDフラッシュメモリにおける多値高速書込み技術 : 多値レベルに応じて最適容量を選択する改良型定電荷注入書込み方式(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集3 不揮発性メモリ)
• 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ
• 4Gb AG-ANDフラッシュメモリにおいて16MB/sを実現する多値高速書込み技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 10MB/s多値高速書込み実現のための1Gb AG-AND型フラッシュメモリセルデバイス技術(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
• コンテンツ配信用ギガスケールAG-AND型フラッシュメモリセル
• AG-ANDフラッシュメモリにおける多値高速書込み技術 : 多値レベルに応じて最適容量を選択する改良型定電荷注入書込み方式(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 4Gb AG-ANDフラッシュメモリにおいて16MB/sを実現する多値高速書込み技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 多孔質Si可視発光のその場フォトルミネセンス, ラマンおよび赤外分光法による研究
• 多孔質シリコンのフォトルミネッセンス:表面化学構造の寄与

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