清水 雅裕 | (株)ルネサステクノロジ

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概要

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関連著者

• 清水 雅裕

  (株)ルネサステクノロジ

• 笹子 佳孝

  (株)日立製作所 中央研究所

• 倉田 英明

  (株)日立製作所 中央研究所

• 大津賀 一雄

  (株)日立製作所 中央研究所

• 土屋 修

  ルネサステクノロジ

• 小堺 健司

  (株)ルネサステクノロジ

• 野田 敏史

  (株)ルネサステクノロジ

• 有金 剛

  (株)日立製作所中央研究所

• 河村 哲史

  (株)日立製作所中央研究所

• 小林 孝

  (株)日立製作所中央研究所

• 池田 良広

  (株)ルネサステクノロジ

• 土屋 修

  (株)ルネサステクノロジ

• 古沢 和則

  (株)ルネサステクノロジ

• 笹子 佳孝

  日立製作所中央研究所

• 倉田 英明

  (株)日立製作所

• 有金 剛

  日立 中研

• 久米 均

  (株)日立製作所中央研究所

• 本間 和樹

  (株)ルネサステクノロジ

• 伊藤 輝彦

  (株)ルネサステクノロジ

• 佐藤 聡彦

  (株)ルネサステクノロジ

• 久米 均

  日立製作所中央研究所

• 上野 修一

  (株)ルネサステクノロジ

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 黒岩 丈晴

  三菱電機(株)

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著作論文

• 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集3 不揮発性メモリ)
• 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ
• 4Gb AG-ANDフラッシュメモリにおいて16MB/sを実現する多値高速書込み技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 電流磁場書き込みMRAM技術
• 4Gb AG-ANDフラッシュメモリにおいて16MB/sを実現する多値高速書込み技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))

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